希華晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的晶振理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。2003年通過(guò)ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過(guò)SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證。
希華晶體科技成立于1988年,專(zhuān)精于石英晶振頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。從人工晶棒長(zhǎng)成到最終產(chǎn)品,透過(guò)最佳團(tuán)隊(duì)組合及先進(jìn)之生產(chǎn)技術(shù),建立完整的產(chǎn)品線(xiàn),包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補(bǔ)償型及電壓控制型產(chǎn)品等,以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng),為客戶(hù)提供全方位的服務(wù)。產(chǎn)品應(yīng)用范圍包含行動(dòng)電話(huà)、平板電腦、衛(wèi)星通訊、車(chē)載系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)、個(gè)人電腦、無(wú)線(xiàn)通信及家用產(chǎn)品等,扮演基本信號(hào)源產(chǎn)生、傳遞、濾波等功能。
希華晶振,貼片晶振,CSX-1612晶振,進(jìn)口貼片晶體,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線(xiàn)藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求.
超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類(lèi)寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶(hù)端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題,公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。
希華晶振 |
單位 |
CSX-1612晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
26MHz~40MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±15× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50,±100× 10-6/-10°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
每個(gè)封裝類(lèi)型的注意事項(xiàng):(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開(kāi)裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。陶瓷包裝石英晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英SMD晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。希華晶振,貼片晶振,CSX-1612晶振,進(jìn)口貼片晶體
(2)陶瓷封裝日產(chǎn)貼片晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產(chǎn)品:產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開(kāi)裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)無(wú)源石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。
振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在進(jìn)口晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。希華晶振,貼片晶振,CSX-1612晶振,進(jìn)口貼片晶體
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)輸入金屬面4P石英晶振振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況,由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測(cè)量不能依賴(lài)于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來(lái)測(cè)量。
此外,1.6x1.2mm石英貼片晶振振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致金屬面貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線(xiàn))