HOSONIC晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對(duì)策：實(shí)行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高能源利用效率,改善能源結(jié)構(gòu).運(yùn)用經(jīng)濟(jì)手段保護(hù)環(huán)境.大力推進(jìn)科技進(jìn)步,加強(qiáng)環(huán)境科學(xué)研究,積極發(fā)展環(huán)境保護(hù)產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強(qiáng)化環(huán)境管理.加強(qiáng)環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識(shí).鴻星晶振減少污染物排放,對(duì)不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少?gòu)U物的產(chǎn)生,對(duì)其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過(guò)石英晶振,貼片晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器設(shè)計(jì)工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對(duì)環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營(yíng)現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.
石英晶振曲率半徑加工技術(shù)：石英晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù)，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時(shí)球面測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則（曲率半徑公式的計(jì)算）。
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鴻星晶振 |
單位 |
HCX-5SB晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8~80MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
100~300μW Max. |
推薦:1μW～100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10PPM,±30PPM,±50PPM |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-30°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
10PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±2× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性：將SMD晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片石英晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。鴻星晶振,貼片晶振,HCX-5SB晶振,無(wú)源貼片諧振器
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
(2)SMD石英晶體產(chǎn)品回流焊接條件圖:用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
1.時(shí)序表
2.測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。?5032石英晶體諧振器 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線.)鴻星晶振,貼片晶振,HCX-5SB晶振,無(wú)源貼片諧振器
振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的進(jìn)口石英晶振諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的播放器5032晶振效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴(lài)于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。
希華晶振,貼片晶振,SX-5032晶振,臺(tái)灣進(jìn)口晶振
鴻星晶振,貼片晶振,HCX-5FA晶振,臺(tái)產(chǎn)晶體諧振器
村田晶振,TSS-5032A晶振,XRCLK10M000F1QA8P0晶振
村田晶振,TAS-5032F晶振,XRCLH10M000F1QA4P0晶振
微晶晶振,貼片晶振,CC2A-T1A晶振,石英SMD晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX5032SA晶振,進(jìn)口晶振