希華晶體科技成立于1988年，專精于石英頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)與銷售。從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品，透過最佳團隊組合及先進之生產(chǎn)技術(shù)，建立完整的產(chǎn)品線，包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER，以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型及電壓控制型產(chǎn)品等，以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng)，為客戶提供全方位的服務(wù)。
導(dǎo)入先進微機電制程創(chuàng)新研發(fā)技術(shù)敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流，致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品，與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域，加速導(dǎo)入TF SMD晶振的量產(chǎn)，藉以擴大公司營收規(guī)模并且提升獲利空間。 藉由臺灣、日本、大陸三地的產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)與制程資源整合，不斷開發(fā)創(chuàng)新及制程改造，以全系列完整產(chǎn)品線，來滿足客戶對石英元件多樣化的需求。積極地透過產(chǎn)學(xué)合作與配合國外技術(shù)引進開發(fā)新產(chǎn)品，多角化經(jīng)營、擴大市場領(lǐng)域，此亦為公司得以永續(xù)經(jīng)營的方針。

希華晶振,貼片晶振,CTSX晶振,無源SMD晶振,智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
厚度單位: ?全自動石英晶體諧振器晶片清洗技術(shù)：采用高壓噴淋清洗，兆聲振動的原理，一個全自動、清洗過程由PLC控制，由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風(fēng)力吹水段等， 操作自動化程度高，除上下工件需要人工外，其余全部由設(shè)備自動完成。根據(jù)需要，對速度，溫度，時間等參數(shù)進行調(diào)整，使之最大限度的滿足工藝需要。能最大限度除去晶片污染物，并防止人工污染。晶振高精密點膠技術(shù)：石英晶振晶片膠點的位置、大?。何恢脺?zhǔn)確度以及膠點大小一致性，通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運用、使石英晶振晶片的點膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過彈簧即可引出電信號.

我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個方法：調(diào)整外部電容，Cd和CG的值。如果由頻率計數(shù)器測量頻率比目標(biāo)頻率高，要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值），以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率，反之亦然?？梢圆捎貌煌?fù)載電容（CL）的晶振試用。 試用晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。請檢查波形幅度是否是正常或不使用示波器，正確的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮，由于增加外部電容，請使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容，并采用低電容的晶體）的情況。頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。下面的曲線表示晶體的電阻的特征：希華晶振,貼片晶振,CTSX晶振,無源SMD晶振

無源晶振具有多種振動模式，如基頻， 3次泛音，5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時，晶振的電阻是最低的，這意味著它是最簡單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用，一個放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此，如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時，要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了，因為電路的環(huán)境適合于基本模式，而不是第三次泛音調(diào)模式。該電路可能不振蕩，如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。4-3?；l模式與三次泛音模式應(yīng)用程序如下： 一。的基頻模式B應(yīng)用。三次泛音模式的應(yīng)用程序

負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致5032石英晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。希華晶振,貼片晶振,CTSX晶振,無源SMD晶振

測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過5032mm貼片石英晶體振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）

振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用5032進口晶振探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過5032無源晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。