鴻星晶振集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意. 所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.鴻星晶振集團(tuán)消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少晶體諧振器、普通晶體振蕩器（SPXO）材料廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對(duì)緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時(shí)做出反應(yīng).
無源晶振的切型。采用高速線切割技術(shù)：1.優(yōu)化及嚴(yán)格規(guī)范線切割機(jī)各項(xiàng)設(shè)備參數(shù)；2.通過試驗(yàn)精選所使用的各類線切割料，如：磨料、線切割線、槽輪等；3.確認(rèn)最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù)。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了石英晶振晶片的精度，提高了生產(chǎn)效率。石英晶振離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)：比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi).
|
鴻星晶振 |
單位 |
HCX-2SB晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12~62.5MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
|
激勵(lì)功率 |
DL |
50μW Max. |
推薦:1μW～100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±10 ,±15 ,±30 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-30°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
3PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C — +85°C,DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±2× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。 （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián),鴻星晶振,貼片晶振,HCX-2SB晶振,無源諧振器
（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。（3）振蕩期間測(cè)量R的值。（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所連接的電路的雜散電容，可能會(huì)影響測(cè)定值。如果SMD晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。
采用具有較低電阻（RR）的2520晶振: 使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間，以驅(qū)動(dòng)后端電路。但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助，如果你的問題不能得到解決。系統(tǒng)無法運(yùn)行，因?yàn)榫w沒有足夠的輸出波形振幅。
負(fù)載電容:如果2520mm貼片型四腳石英晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。鴻星晶振,貼片晶振,HCX-2SB晶振,無源諧振器
測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量2520汽車電子晶振頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）
振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在藍(lán)牙耳機(jī)專用晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。接觸振蕩電路。
探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過2520小體積貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測(cè)量。
NDK晶振,貼片晶振,NX2520SA晶體
愛普生晶振,貼片晶振,FA-20HS晶振,FA-20HS 19.2000MF12Y-AG3
貼片晶振,國產(chǎn)晶振,LUO-2520晶振
京瓷晶振,貼片晶振,CT2520DB晶振,CT2520DB19200C0FLHAF晶振
百利通亞陶晶振,貼片晶振,FHQ晶振
大河晶振,貼片晶振,FCX-05晶振,無源石英晶振
KDS晶振,貼片晶振,DSX221S晶振,日產(chǎn)無源晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX2520SG晶振,石英晶體諧振器
村田晶振,HCR2520晶振,XRCHA16M000F0A01R0晶振
Jauch晶振,貼片晶振,JXS22P4晶振,石英晶體諧振器