自從我們在1990年成立以來,Golledge電子取得了前所未有的成功。經(jīng)過多年的不斷增長,我們現(xiàn)在是英國最主要的貼片晶振產(chǎn)品供應商。我們的注冊到iso - 9001 :2015強調(diào)了對質(zhì)量的全面承諾,同時我們的產(chǎn)品的完整性由我們的專門的內(nèi)部測試和測量實驗室確保。我們的專業(yè)和高效的方法使我們成為許多領(lǐng)先的電子設(shè)備OEM和河北的首選供應商。
總部位于西英格蘭心臟地帶的一個美麗的轉(zhuǎn)換農(nóng)場建筑的收集,Golledge向全世界50多個國家的出口石英晶振,占收入的60%以上。我們的理念始終以產(chǎn)品和服務(wù)的質(zhì)量和一致性為基礎(chǔ)。我們多年來一直努力保持我們的產(chǎn)品在頻率控制市場的發(fā)展的最前沿。憑借我們對互聯(lián)網(wǎng)和電子商務(wù)的承諾,我們能夠支持我們客戶最復雜和最苛刻的需求。
Golledge晶振,壓電石英晶體諧振器,GSX-200晶振.32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求.
高利奇通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使音叉晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動不穩(wěn)定。
golledge晶振 |
單位 |
GSX-200晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標準), |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-10°C~+60°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。Golledge晶振,壓電石英晶體諧振器,GSX-200晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用進口晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導致石英晶體諧振器特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致無源晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明陶瓷殼無源晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在8038貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致32.768K數(shù)字電表晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。Golledge晶振,壓電石英晶體諧振器,GSX-200晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考