Statek提供高精確度和高質(zhì)量的貼片晶振的醫(yī)療應(yīng)用。產(chǎn)品包裝尺寸小,功耗低,穩(wěn)定性好。我們是世界一流醫(yī)療器械制造商的信賴供應(yīng)商。Statek在陶瓷封裝中使用玻璃或陶瓷外殼組裝晶體諧振器。Statek產(chǎn)品比機械制造的水晶產(chǎn)品要小得多。Statek晶體、振蕩器和傳感器的典型特征是:高穩(wěn)定性和精密頻率,低長期老化,,低功耗,非常小的足跡,優(yōu)秀的耐沖擊性,超低調(diào),在美國設(shè)計和制造和設(shè)計能力。
Statek的晶體和石英振蕩器非常堅固,使其成為對環(huán)境要求較高的應(yīng)用的絕佳選擇。 我們的晶體和振蕩器可以承受高達(dá)100,000克的沖擊,并且堅固耐用。Statek為醫(yī)療應(yīng)用提供高精度和高質(zhì)量的石英晶體。 我們的產(chǎn)品具有小封裝尺寸,低功耗和高穩(wěn)定性。 我們是全球領(lǐng)先的植入式醫(yī)療設(shè)備制造商值得信賴的供應(yīng)商。
Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振.32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,工作溫度范圍:-55OC ~+200OC,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.
Statek石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。無源晶體該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
STATEK晶振 |
單位 |
CX1VHT晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-55°C ~+200°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.5μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-55°C ~ +200°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
9pF |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致時鐘晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致石英晶體諧振器振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明陶瓷貼片晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加耐高溫陶瓷面晶振振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。
3.負(fù)載電容
如果高穩(wěn)定晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考