杭州鴻星電子有限公司于1979年成立，產(chǎn)品由專業(yè)電阻器、電容器制造廠，公元1991年于臺(tái)灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年開始于中國(guó)大陸拓展生產(chǎn)基地，至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營(yíng)銷及FAE據(jù)點(diǎn)及十個(gè)營(yíng)銷代表處。鴻星的核心精神：誠(chéng)信負(fù)責(zé)、團(tuán)隊(duì)合作、專業(yè)創(chuàng)新、積極成長(zhǎng)。HOSONIC以先進(jìn)技術(shù)、優(yōu)異質(zhì)量、完善服務(wù)，成為晶體產(chǎn)業(yè)最具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的品牌。
優(yōu)秀同仁是公司無(wú)價(jià)的資產(chǎn)，也是公司成長(zhǎng)發(fā)展的伙伴，更是維系公司競(jìng)爭(zhēng)力與創(chuàng)造價(jià)值的命脈。在以人為本，充分尊重人性的理念上，我們以溝通來(lái)達(dá)成共識(shí)，以相互尊重維系組織和諧氣氛，創(chuàng)造適性的工作環(huán)境，讓鴻星成為一個(gè)高度凝聚力的大家庭。我們要求同仁自我管理，并不斷的成長(zhǎng)進(jìn)步，讓員工有能力于工作，意愿于工作并滿意于工作，鼓勵(lì)員工去達(dá)成公司指定的目標(biāo)。

鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振.2016mm封裝四腳SMD型的晶振,可以說(shuō)是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無(wú)線通訊系統(tǒng),無(wú)線局域網(wǎng),具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
鴻星石英晶振曲率半徑加工技術(shù)：石英晶體諧振器晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù)，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時(shí)球面測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則（曲率半徑公式的計(jì)算）。

操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用進(jìn)口晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致無(wú)源晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致SMD晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振

設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明2016晶振單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振蕩補(bǔ)償
除非在25M無(wú)源SMD晶體振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致四腳無(wú)源晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振

頻率和負(fù)載電容特征圖器

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考