1970年,Statek公司開創(chuàng)了石英計時元件小型化技術,革新了頻率控制行業(yè)。為客戶提供廣泛的領先優(yōu)勢,超小型石英頻率控制設備,并通過知識應用支持,優(yōu)質的客戶服務,優(yōu)質的產(chǎn)品質量提供解決方案。所有時鐘晶體包裝尺寸小,功耗低,穩(wěn)定性好,Statek產(chǎn)品比機械制造的水晶產(chǎn)品要小得多,我們是世界一流醫(yī)療器械制造商的信賴供應商。
Statek晶振環(huán)境影響的最小化:遵照社會的期望,改進我們的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實現(xiàn)這一承諾.Statek石英晶體諧振器環(huán)境管理體系:在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進的目標和指標.
Statek晶振,32.768K貼片晶振,CX4VHT晶振.5.33*2.16*1.27mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的千赫茲石英晶振,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
Statek石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英貼片晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
STATEK晶振 |
單位 |
CX4VHT晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
30.000KHZ~250.000MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-55°C~+200°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.5μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30 × 10-6(標準), |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-55°C~+200°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
9pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用音叉晶振和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對于可清洗產(chǎn)品,應避免使用可能對32.768K晶振產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響晶振的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。Statek晶振,32.768K貼片晶振,CX4VHT晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明貼片石英晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。Statek晶振,32.768K貼片晶振,CX4VHT晶振
2.振蕩補償
除非在千赫茲晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致石英水晶振子振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考