ECS晶振,石英晶振,CSM-7SSX晶振,自1980年成立,在國際范圍內(nèi)開展業(yè)務(wù)已近35年,自成立以來超過3.0億頻率控制元件的傳遞。ECScrystal晶振公司國際公司作為其唯一的使命,致力于提供最先進(jìn)的創(chuàng)新頻率提供給世界的控制技術(shù)。我們的目標(biāo)是建立客戶的需求和我們導(dǎo)致解決方案,使電子世界變得更美好的先進(jìn)產(chǎn)品之間的橋梁。
ECS,Inc.為了實(shí)現(xiàn)這一愿景,ECS,Inc.遵循我們的愿景,ECS,Inc.堅持創(chuàng)新為中心的企業(yè)文化,旨在促進(jìn)和發(fā)展,最大限度地提高了我們滿足不斷變化的全球電子市場需求的能力各無晶圓廠合作伙伴的創(chuàng)造力。
總部設(shè)在美國堪薩斯州的Olathe,ECS,Inc.我們有這個領(lǐng)先的解決方案。建立和維護(hù)世界上最先進(jìn)的可靠和具有成本效益的產(chǎn)品。
CSM-7SSX貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌鲱I(lǐng)域
單位 |
CSM-7SSX晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.57M~50MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
所有石英晶體振蕩器和實(shí)時時鐘模塊都以IC形式提供。
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的有源晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致有源晶體無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
晶振的軟焊溫度條件被設(shè)計成可以和普通電子零部件同時作業(yè),但如果是超過規(guī)格以上的高溫,則頻率有可能發(fā)生較大的變化,因此請避免不 必要的高溫度。
有關(guān)SMD晶振產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述,請參照“表面貼裝型晶體產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述”。
清洗
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題,但這僅僅是對單個石英晶體產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果,因此請根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請盡可能避免超聲波清洗。
若要進(jìn)行超聲波清洗,必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
撞擊
雖然石英晶體諧振器產(chǎn)品在設(shè)計階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用。ECS晶振,石英晶振,CSM-7SSX晶振
1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2. 振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。
3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考