西鐵城在音叉水晶表晶振動(dòng)子(石英晶振)這一領(lǐng)域也是遙遙領(lǐng)先的,與日本元器件品牌愛普生晶振,日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本村田陶瓷晶振murata,并稱世界日產(chǎn)五大品牌。對(duì)于西鐵城晶振動(dòng)子,其要求相比其他各大品牌,工藝也是非常之嚴(yán)格,工藝上除清洗、被銀、點(diǎn)膠、微調(diào)、中測(cè)、封焊、檢漏、老化、測(cè)試、打標(biāo)、編帶、包裝等步驟外,選用的設(shè)備儀器其優(yōu)點(diǎn)有先進(jìn)性、功能性、適應(yīng)性和經(jīng)濟(jì)性,西鐵城推出3款適合時(shí)鐘上用的音叉表晶,CFS-308晶振,CFS-206晶振,CFS-145晶振。
此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫,波峰焊接,回流焊接等,貼片表晶主要特點(diǎn)是該產(chǎn)品排帶包裝,焊接模式主要使用SMT焊接,給現(xiàn)代SMT工藝帶來(lái)高速的工作效率,32.768K系列產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點(diǎn),此音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
西鐵城晶振 |
單位 |
晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊:
石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品.請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等.
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂).尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法.
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.
(2)陶瓷封裝貼片晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞.當(dāng)石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂.當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正.在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞.所以在此處請(qǐng)不要施加壓力.另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上.
1、振蕩電路
晶體諧振器是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。
(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担?/span>RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。