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首頁 西鐵城晶振

西鐵城晶振,進口晶振,CM250C晶體

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產(chǎn)品簡介

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用.

產(chǎn)品詳情

CITIZEN西鐵城在音叉水晶表晶振動子(石英晶振)這一領(lǐng)域也是遙遙領(lǐng)先的,與日本元器件品牌愛普生晶振,日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本村田陶瓷晶振murata,并稱世界日產(chǎn)五大品牌。對于西鐵城晶振動子,其要求相比其他各大品牌,工藝也是非常之嚴(yán)格。

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西鐵城晶振,進口晶振,CM250C晶體,這一款產(chǎn)地來自日本的進口無源石英晶體,從研發(fā)成功到批量投入市場一直是大尺寸晶振中的佼佼者,因為KHz的8038mm的貼片晶振并不多,現(xiàn)在做的比較好的除了西鐵城株式會社,就是同是日系品牌的KDS大真空晶振和愛普生晶振公司,但最受歡迎的還是西鐵城的這款CM250C晶體.

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西鐵城晶振

符號

CM250C晶振

西鐵城晶振基本信息對照表

Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

30KHz~100KHz


儲存溫度

T_stg

-55°C — +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C — +85°C

特定的溫度

激勵功率

DL

0.5μW (1.0μW Max.)

如你有最大激勵功率為1.0μW 需求,請聯(lián)系我們金洛鑫電子

精度

f_— l

±30ppm

如有需要更高的精度可以特定.

拐點溫度

Ti

+25°C ±5°C


負(fù)載電容

CL

12.5pF

可按客戶需求指定

串聯(lián)電阻(ESR

R1

70kΩ Max.

70kΩ — 45kΩ

頻率老化

f_age

±3 ×10-6/ year Max.

+25°C, 第一年

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CM200S-CM250Scct

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PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
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輸出波形與測試電路
1.時序表

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2測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)

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3.測試電路

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