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首頁 AEL晶振

AEL晶振,貼片晶振,60609晶振,32.768K晶振

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產品簡介

32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.

產品詳情

AEL在英國,日本,臺灣,南韓等地區(qū)使用精心挑選的生產基地網(wǎng)絡。韓國中國和美國使我們能夠為這類組件提供真正的全球采購。這降低了這種高需求產品類型供應中斷的風險。我們通過實施全面的英國庫存政策進一步提高可用性。我們AEL晶振有限公司已借此機會為您提供最新的信息供您參考。

我們與所有供應商建立了長期的合作關系,并擁有悠久的高品質和無故障供應歷史。我們的一些制造合作伙伴已經為AEL生產了超過10年的石英晶振產品。這使我們能夠自信地提供一個批次的可靠性,質量,一致性和可重復性的可靠記錄.AEL晶體有限公司是ISO 9002-2008認可的供應商,目前管理著廣泛的國際認可的藍籌客戶。

AEL晶振,貼片晶振,60609晶振,32.768K晶振,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸。對于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對精度要求高的產品(如部分定單的 UM-1),會在 X 軸方向進行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠,點膠點點在 Z 軸上。保證晶振產品的溫度特性。

AEL晶振

單位

60609晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

32.768KHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標準溫度

激勵功率

DL

1.0μW Max.

推薦:1.0μW

頻率公差

f_— l

±20× 10-6

+25°C對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

-0.034±0.006× 10-6/-30°C~+85°C

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

12.5PF

不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

60609 8038

進口陶瓷面封裝晶振,1612小型4P晶振,CX-1247Q晶振

所有產品的共同點:1:抗沖擊:抗沖擊是指進口晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3:化學制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。AEL晶振,貼片晶振,60609晶振,32.768K晶振

4:粘合劑:請勿使用可能導致無源晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。) 5:鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

晶振產品使用每種產品時,請在進口石英晶振規(guī)格說明或產品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。

測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量8038mm無源晶振頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).AEL晶振,貼片晶振,60609晶振,32.768K晶振

12M3213體積晶振,CSTCE晶振,CSTCE12M0G15L99-R0晶振

1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到陶瓷面晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。

2.角色的分量與參考值:在8038陶瓷面石英晶體振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動.

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此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量8038晶體諧振器緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。

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