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首頁(yè) 微晶晶振

微晶晶振,貼片晶振,CC6F-T1AF晶振,歐美SMD晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

陶瓷表面封裝諧振器,8037兆赫茲晶振,CC1A-T1AH晶振

微晶,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供石英晶體的產(chǎn)品。微晶在瑞士、泰國(guó)建有生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證,并達(dá)到RoHS,REACh等規(guī)范的要求。全球約550個(gè)員工的責(zé)任感和奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石。我們對(duì)管理、環(huán)境、社會(huì)責(zé)任都有明確的行為準(zhǔn)則(比如對(duì)有爭(zhēng)議的原材料的問(wèn)題上),這些是我們?cè)谖磥?lái)保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的主要原因。
微晶集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少?gòu)U物產(chǎn)生和排放。我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作。我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問(wèn)題的注意。 微晶晶振所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī)。為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系。微晶晶振集團(tuán)實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展。實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo)。

陶瓷表面封裝諧振器,8037兆赫茲晶振,CC1A-T1AH晶振

微晶晶振,貼片晶振,CC6F-T1AF晶振,歐美SMD晶振,貼片晶振3522mm具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻石英貼片晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問(wèn)題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過(guò)結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定。

陶瓷表面封裝諧振器,8037兆赫茲晶振,CC1A-T1AH晶振

微晶晶振

單位

CC6F-T1AF晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

70~200MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

100~250μW Max.

推薦:100~200μW

頻率公差

f_— l

±20× 10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±100 × 10-6/-40°C~+85°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

10PF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C,DL=0.5μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

陶瓷表面封裝諧振器,8037兆赫茲晶振,CC1A-T1AH晶振

CC6F-T1AF 3522

陶瓷表面封裝諧振器,8037兆赫茲晶振,CC1A-T1AH晶振

我們可以改善的頻率輸出的偏差超過(guò)范圍由以下幾個(gè)方法:調(diào)整外部電容,Cd和CG的值。如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量SMD晶振頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL(或Cd以及C 8的值),以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然??梢圆捎貌煌?fù)載電容(CL)的晶振試用。 試用晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。請(qǐng)檢查波形幅度是否是正?;虿皇褂檬静ㄆ?,正確的電容是通過(guò)和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的晶體)的情況。頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。下面的曲線表示晶體的電阻的特征:微晶晶振,貼片晶振,CC6F-T1AF晶振,歐美SMD晶振

20180607084508

石英晶體諧振器具有多種振動(dòng)模式,如基頻, 3次泛音,5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí),晶振的電阻是最低的,這意味著它是最簡(jiǎn)單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用,一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此,如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí),要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了,因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式,而不是第三次泛音調(diào)模式。該電路可能不振蕩,如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。4-3?;l模式與三次泛音模式應(yīng)用程序如下:

20180607084523

一。進(jìn)口無(wú)源晶振的基頻模式B應(yīng)用。三次泛音模式的應(yīng)用程序下表顯示升的匹配值,C由各種頻率三次泛音模式,石英晶振頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍這個(gè)問(wèn)題的可能性相對(duì)較小。請(qǐng)確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式,由于放大電路的反饋大。當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問(wèn)題可能會(huì)發(fā)生。為了解決這個(gè)問(wèn)題,請(qǐng)采用三次泛音模式晶振。

20180607084536

陶瓷表面封裝諧振器,8037兆赫茲晶振,CC1A-T1AH晶振

此外,振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)壓電石英晶體諧振器電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。微晶晶振,貼片晶振,CC6F-T1AF晶振,歐美SMD晶振

cptj_1

1.振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件,因此受到進(jìn)口晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在陶瓷面貼片晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

cptj1

驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明進(jìn)口石英晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).

sjzrhl_1

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