該曲線代表電容變化與頻率變化（頻率pullability）變化的變化：
微晶晶振，貼片晶振,石英晶體振蕩器在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個(gè)產(chǎn)品生命周期中，努力創(chuàng)造豐富的價(jià)值，給社會帶來溫馨和安寧，感動和驚喜，同時(shí)為減少環(huán)境影響，努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”，實(shí)現(xiàn)與地球的和諧相處。對我們的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)，同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾，如何安全的使用，如何使用對環(huán)境影響較小，幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境。公司的各項(xiàng)能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平。
微晶的管理團(tuán)隊(duì)以及領(lǐng)導(dǎo)的工作人員。職位提供了一個(gè)積極的例子，在所有領(lǐng)域的質(zhì)量行為。公司。他們激勵員工始終如一地思考問題。質(zhì)量與成本。 微晶玻璃（MC）的管理、環(huán)境與社會責(zé)任原則執(zhí)行（MES）大綱標(biāo)準(zhǔn)，以確保石英晶振MC設(shè)備的工作條件，以及供應(yīng)鏈合作伙伴的活動支持MC的要求，是安全的，工人是尊重和尊嚴(yán)對待，以及制造過程使用MC和它的作伙伴對環(huán)境負(fù)責(zé)。外，參與者應(yīng)持有其實(shí)踐對最初的MES審計(jì)和隨后的MES監(jiān)督審核開放。要使這些原則獲得成功，與會者應(yīng)視為原則。全面供應(yīng)鏈計(jì)劃。至少，參加者應(yīng)鼓勵他們的下一層。
微晶晶振,貼片晶振,CC6A-T1AH晶振,無源貼片晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從16.000MHz起對應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
石英晶振的研磨技術(shù)：通過對晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨，使石英晶振的晶片達(dá)到（厚度/頻率）的一定范圍。無源晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為：在壓電晶體行業(yè)，生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個(gè)方面，通過理論與實(shí)際相結(jié)合，累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn)，通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重石英晶振研磨用工裝如：游輪的設(shè)計(jì)及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄，貼片晶振晶片的頻率越來越高，為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，提升了晶振廠家的競爭力，使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國內(nèi)其它公司。
|
16~40MHZ |
|||
|
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
|||
|
20PF |
|||
請測量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器石英SMD晶振的兩個(gè)端子的信號，如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi)，它的輸出波形的幅度是不夠的（例如超過+/-200ppm的），請按照步驟2-3步驟2-5。The formula for Capacitances versus Frequency is as following:該公式的電容與頻率是如下：FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where微晶晶振,貼片晶振,CC6A-T1AH晶振,無源貼片晶振
該曲線代表電容變化與頻率變化（頻率pullability）變化的變化：
如果由頻率計(jì)數(shù)器測量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加進(jìn)口石英晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：
方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過SMD無源晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。方法2：采用小電阻（RR）的晶體。方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本，保證安全。請用頻率計(jì)數(shù)器來測量所述晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會偏差很大。
測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。陶瓷面四腳貼片晶振電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.微晶晶振,貼片晶振,CC6A-T1AH晶振,無源貼片晶振
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致石英晶體諧振器振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在小體積石英晶體電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過貼片石英晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。
微晶晶振,貼片晶振,CC6F-T1AF晶振,歐美SMD晶振