Golledge高利奇晶振集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少?gòu)U物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意. Golledge晶振將持續(xù)的環(huán)境、健康和安全方面的改進(jìn)、污染預(yù)防和員工的努力納入日常運(yùn)行當(dāng)中.加強(qiáng)污染防治,減少現(xiàn)有的污染廢棄物以及在未來晶體諧振器、普通晶體振蕩器（SPXO）,石英晶振生產(chǎn)制造中所產(chǎn)生的污染.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除無(wú)源晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。
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Golledge晶振 |
單位 |
CC6F晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
30~250MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C～+125°C |
裸存 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C～+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
10pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)無(wú)源SMD晶振時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無(wú)鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響石英晶體諧振器頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度：溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致3.5*2.2mm石英晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。Golledge晶振,貼片晶振,CC6F晶振,歐美晶振
測(cè)試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過3522貼片晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.
振蕩電路的檢查方法,振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在陶瓷面兩腳貼片晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是=通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過3522衛(wèi)星通信晶振輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測(cè)量。
NDK晶振,貼片晶振,NX3225GB晶振,NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2晶振
加高晶振,貼片晶振,HSX321S晶振,石英晶振
Kyocera晶振CX3225GA,CX3225GA20000D0PTVCC陶瓷晶振