Abracon工程副總裁Syed Raza評論說:“半導體技術致力于將所有的功耗從最新一代的MCU和RF芯片組中扭轉出來,芯片上的皮爾斯振蕩器缺乏必要的增益,對gm_critical指標產生不利影響。 PAS測試是診斷可預防問題的最可靠的方法”ABRACON旗艦ABLNO系列提供超低相位噪聲固定時鐘或電壓控制晶體振蕩器(VCXO)解決方案標準尺寸為9x14mm。同超過12 kHz的37fs典型RMS抖動20MHz帶寬@ 100MHz載波,ABLNO是性能驅動的理想選擇通訊,射頻,無線回程,和儀器應用。
什么使IoT打勾? Abracon的低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低負載電鍍電容(CL)晶體是綠色和節(jié)能MCU和便攜式通信的理想選擇芯片組。 在降低功耗的競爭中,許多片上振蕩器正在被匱乏輸出驅動,通常不能使用標準晶體維持振蕩。 Abracon的最新系列用于微功率應用的石英晶體克服了這些挑戰(zhàn)。
Abracon晶振,石英晶振,ABM11晶振.2.0*1.6*0.59mm超小型,超薄型,重量輕金屬殼封裝的四腳貼片型石英晶體,是近年來晶振市場上最受歡迎的產品,來自于美國的Abracon生產的這款ABM11晶振自研發(fā)成功并投入量產以來,受到多方面的關注,使用用戶遍布全球七十多個國家及地區(qū),被廣泛應用于無線藍牙,尋呼機,通訊設備,蜂窩電話和PCMCIA等領域.
晶振高精密點膠技術:石英晶振晶片膠點的位置、大?。何恢脺蚀_度以及膠點大小一致性,通過圖像識別及高精密度數字定位系統(tǒng)的運用、使石英晶振晶片的點膠的精度在±0.02mm之內。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點上導電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號。導電膠應注意有效期、儲存溫度、開蓋次數、充分攪拌、室溫放置時間、烤膠最高溫度、烤膠時間、升溫速率、升溫起始最高溫度。
Abracon晶振 |
單位 |
ABM11晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
16.000MHZ~50.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+60°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
10pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。Abracon晶振,石英晶振,ABM11晶振
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式產品
(4)對于可清洗產品,應避免使用可能對石英水晶諧振器產生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響晶振的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節(jié)內容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容)。
1、振蕩電路
晶體諧振器是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調節(jié)負電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。Abracon晶振,石英晶振,ABM11晶振
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。