智能手機晶振,1XXD16368MGA,溫補晶振,2016進口貼片,DSB211SDN
貼片石英晶體體積小、焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型。薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫。耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。
DSB211SDN晶振為2016進口貼片,是日本大真空晶振生產(chǎn)一款小體積的溫補晶振。編碼1XXD16368MGA的晶振頻率為16.368MHz,支持低電壓,低相位噪音,單體結(jié)構(gòu),多用于手機、GPS/GNSS、工業(yè)用無線通信設(shè)備等,也叫智能手機晶振,TCXO晶振,石英晶體振蕩器,日本進口晶振。
智能手機晶振,1XXD16368MGA,溫補晶振,2016進口貼片,DSB211SDN
類型 | DSB211SDN (TCXO) |
頻率范圍 | 12.288?52MHz |
標準頻率 | 16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
電源電壓范圍 | +1.68 to +3.5V |
電源電壓 (VCC) | +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V |
電流消耗 |
+1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26 |
輸出電平 | 0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled) |
輸出負載 | 10kΩ//10pF |
頻率穩(wěn)定性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
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啟動時間 | 最大 2.0ms |
包裝單位 | 3000 個/卷 (Φ180) |
智能手機晶振,1XXD16368MGA,溫補晶振,2016進口貼片,DSB211SDN
智能手機晶振,1XXD16368MGA,溫補晶振,2016進口貼片,DSB211SDN
所有產(chǎn)品的共同點
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。