瑪居禮晶振,X21-24.000-12-10/10Y/30R,2016貼片晶振,6G通信晶振,臺(tái)灣瑪居禮晶振,X21進(jìn)口晶振,無(wú)源晶振,X21-24.000-12-10/10Y/30R晶振,2016貼片晶振,超小型晶振,頻率24MHz,負(fù)載12pf,工作溫度-20~70°C,頻率穩(wěn)定性10ppm,抗振動(dòng)晶振,高穩(wěn)定性晶振,6G通信晶振,通訊設(shè)備晶振,便攜式設(shè)備晶振,微處理器晶振.
瑪居禮晶振,X21-24.000-12-10/10Y/30R,2016貼片晶振,6G通信晶振特點(diǎn) :
●整個(gè)封裝可以通過(guò)頂部金屬蓋和兩個(gè)底部焊盤(pán)接地
●占地面積小，非常適合空間受限的應(yīng)用
●表現(xiàn)出極低的老化性，具有高抗沖擊和振動(dòng)性
瑪居禮晶振,X21-24.000-12-10/10Y/30R,2016貼片晶振,6G通信晶振參數(shù)
| 項(xiàng)目 | 符號(hào) | X21 |
| 頻率 | f0 | 24MHz |
| 頻率公差 | △f/f0 | ±10ppm |
| 負(fù)載電容 | CL | 12pf |
| 工作溫度 | TOPR | －20℃～＋70℃ |
| 保存溫度 | TSTR | －50℃～＋105℃ |
| 串聯(lián)阻力 | R1 | 100Ω Max. |
| 驅(qū)動(dòng)級(jí)別 | DL | 100μW Max |
| 老化 | f_aging |
±3ppm/year |
瑪居禮晶振,X21-24.000-12-10/10Y/30R,2016貼片晶振,6G通信晶振尺寸圖
KDS晶振,貼片晶振,DST1610AL晶振
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