DSB221SDN晶振,進(jìn)口2520貼片,大真空TCXO晶振,1XXB16368MAA
日本KDS晶振生產(chǎn)的DSB221SDN系列晶振,為2.5*2.0mm貼片晶振,該晶振體積小型,厚度薄,具備低損耗、低電壓、低耗能、低抖動(dòng)、低差損、低電平、低功耗、低電源電壓等特點(diǎn)。該系列晶振最適合于手機(jī)、GPS/GNSS、工業(yè)用無線通信設(shè)備等,多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振。編碼為1XXB16368MAA的晶振頻率是16.368MHz,尺寸是2520mm,為大真空TCXO晶振。
KDS晶振產(chǎn)品在業(yè)界屬于高端產(chǎn)品,其應(yīng)用偏向中高端市場(chǎng). 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
DSB221SDN晶振,進(jìn)口2520貼片,大真空TCXO晶振,1XXB16368MAA
類型 | DSB221SDN (TCXO) |
頻率范圍 | 9.6 至 52MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | 16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
電源電壓范圍 | +1.68 to +3.5V |
電源電壓 (VCC) | +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V |
電流消耗 |
+1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26 |
輸出電平 | 0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled) |
輸出負(fù)載 | 10kΩ//10pF |
頻率穩(wěn)定性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
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啟動(dòng)時(shí)間 | 最大 2.0ms |
包裝單位 | 3000 個(gè)/卷 (Φ180) |
DSB221SDN晶振,進(jìn)口2520貼片,大真空TCXO晶振,1XXB16368MAA
DSB221SDN晶振,進(jìn)口2520貼片,大真空TCXO晶振,1XXB16368MAA
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。