康納•溫菲爾德公司在所有層次上都致力于滿足客戶的所有要求,通過不斷的測量、審核和改進我們的產(chǎn)品、服務(wù)以及質(zhì)量管理體系的有效性,提高客戶滿意度。我們相信質(zhì)量在我們的產(chǎn)品組裝之前就已經(jīng)開始了。通過保持我們的ISO 9001質(zhì)量體系認證,持續(xù)改進我們的流程是我們不斷超越客戶期望的承諾??导{溫菲爾德的子公司和業(yè)務(wù)單位包括康諾-溫菲爾德全球計時解決方案,NavSync,Ltd .,Janus遠程通信和混合電路工程。
CONNOR-WINFIELD晶振集團建立一種可測量的發(fā)展和改進的目標(biāo)指標(biāo),定期進行內(nèi)審和管理評審。在現(xiàn)有的或新生的各種活動中不斷監(jiān)測和改進環(huán)境績效。通過對生產(chǎn)活動的持續(xù)改進和促進對低效或無效的環(huán)境法律法規(guī)進行合理化轉(zhuǎn)變,努力提高環(huán)境管理中資本的效力。與我們的員工一起開創(chuàng)并保持一個免于事故的工作場所。重視污染預(yù)防,消除偏離程序的行為強調(diào)通過員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進我們經(jīng)營活動的環(huán)境績效。
Connor-Winfield晶振,溫補晶振,TFLD546晶振.產(chǎn)品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.面貼片型產(chǎn)品.(可對應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進行選擇.
康納溫菲爾德有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù)。
Connor-Winfield晶振 |
標(biāo)示 |
TFLD546晶振 |
晶振基本信息對照表 |
標(biāo)準(zhǔn)范圍 |
f0 |
12.800MHz~155.520MHz |
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電源電圧 |
Vcc |
+3.3V |
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輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
頻率負載 |
L_CMOS |
15pF |
LVCMOS 出力 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差 |
f_tol |
±4.6×10-6 max.
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初期偏差、 |
輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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對稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
標(biāo)準(zhǔn)時間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、LVCMOS=15pF |
<晶體諧振器>
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上。
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內(nèi)部連接。使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關(guān)于個別機型請確認宣傳冊、規(guī)格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調(diào)諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
<光學(xué)產(chǎn)品>
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進行清潔度管理的環(huán)境中使用。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考