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WI2WI晶振,C5晶振,C526000XFBCB182X晶振

頻率：8~50MHZ,40~150MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌鲱I(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購熱線：0755-27837162

WI2WI晶振,C5晶振,C526000XFBCB182X晶振，Wi2Wi的戰(zhàn)略目標(biāo)是通過提供端到端無線集成解決方案和高度可定制的定時(shí)和頻率控制設(shè)備來滿足每個(gè)客戶的獨(dú)特需求。威爾威晶振與商品級產(chǎn)品區(qū)別開來，具有市場性能最佳，高可靠性，低功耗的無線連接產(chǎn)品，集成軟件支持更寬的溫度范圍和更長的產(chǎn)品生命周期。此外，Wi2Wi' 端到端的產(chǎn)品解決方案可幫助客戶大幅降低最終產(chǎn)品費(fèi)用，認(rèn)證成本和整體研發(fā)投資，同時(shí)大幅縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。Wi2Wi已與技術(shù)，制造和銷售方面的全球頂級領(lǐng)導(dǎo)者建立了合作關(guān)系。公司在全球范圍內(nèi)使用廣泛的制造商代表網(wǎng)絡(luò)來推廣其產(chǎn)品和服務(wù)，并與世界級經(jīng)銷商合作，以實(shí)現(xiàn)訂單和直接銷售.

WI2WI晶振,C5晶振,C526000XFBCB182X晶振，WI2WI晶振是全球有名的頻率元件制造商,總部位于美國加利福尼亞州的圣何塞.威爾威晶振為用戶提供高品質(zhì),高性能WI2WI石英晶振,WI2WI貼片晶振,并且向全球市場提供無線連接解決方案開發(fā)商和制造商.

WI2WI晶振,C5晶振,C526000XFBCB182X晶振，貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌鲱I(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使SMD無源晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

Parameter-Wi2Wi晶振		Mode-C5晶振
Parameter-Wi2Wi晶振		Fundamental	3rd Overtone	Units
Frequency Range *1		8.000000 to 50.000000	40.000000 to 125.000000	MHZ
Frequency Tolerance	@ +25°C	Per Option		ppm
Temperature Range *1	Operating	Per Option		°C
Temperature Range *1	Storage	- 55 to +125		°C
Frequency Stability *1	Over Operating Temperature	Per Option		ppm
Equivalent Series Resistance	8.000000 to 10.000000 MHz	100	N/A	Ω
(Maximum)	10.000000 to 12.000000 MHz	80	N/A
	12.000000 to 16.000000 MHz	60	N/A
	16.000000 to 20.000000 MHz	50	N/A
	20.000000 to 24.000000 MHz	40	N/A
	24.000000 to 50.000000 MHz	30	N/A
	40.000000 to 125.000000 MHz	N/A	80
Drive Level (Typical)		100		uW
Shunt Capacitance (Maximum)		5		pF
Load Capacitance (Typical)		Per Option		pF
Aging (Maximum)		±5.0		ppm
Seal Method		Seam Weld
Insulation Resistance		500MΩ Minimum @100Vdc ±15V
*1 - Not all Frequency/Stability/Temperature combinations are available

抗沖擊
晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。WI2WI晶振,C5晶振,C526000XFBCB182X晶振.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致進(jìn)口SMD石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD無源晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。