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Transko晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振

頻率:32.768KHZ

尺寸:2.0*1.2mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
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        Transko晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振,Transko晶振集團是一家位于加利福尼亞州阿納海姆的通過ISO 9001認(rèn)證的變頻控制設(shè)備解決方案供應(yīng)商,專業(yè)生產(chǎn)石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓控晶振,濾波器等頻率元件.通過質(zhì)量和經(jīng)驗,自1992年以來,其他許多其他產(chǎn)品我們得到了援助.
        Transko晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振,讓我們與眾不同的是Transko Advantage –具有快速交付能力。能夠在72小時內(nèi)提供產(chǎn)品,高度積極的銷售人員為您的頻率控制要求提供優(yōu)異的定價和解決方案。通過結(jié)合杰出員工的知識和廣泛背景,能夠解決和定制您的特定項目或設(shè)計需求。Transko晶振公司團隊導(dǎo)向的環(huán)境和高效的生產(chǎn)人員不斷讓我們的客戶滿意,并使我們能夠提供最好的支持。

        貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

     Transko晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振,貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。    


Parameter  Symbol  Min.  Typ.   Max.   Units  Conditions
Mode of Oscillation  Fundamental (XT cut) 
Frequency Range   F O 0.032768 MHz
Frequency Tolerance F/F  -20 20 ppm  @ +25 °C
Frequency Stability  DF/F Parabolic Curve Ref to +25 °C
Turnover Temperature   T T  +20  +25  +30 °C
Parabolic Curve Const.  -0.028 -0.0354 -0.040  ppm/°C 2
Operating Temperature T A -40 85 °C
Aging -3 3 ppm/year   @ +25 °C
Load Capacitance  C L See ordering information(standard is 12.5 pF) pF
ESR  R s 70 standard @ +25 °C
50 “L” option @ +25 °C
Shunt Capacitance  C O  0.95 pF standard @ +25 °C
1.3 pF “L” option @ +25 °C
Drive Level D L  1 µW standard
0.5 µW “L” option

CS2012

抗沖擊
            晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
          暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。 
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
          請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
          請勿使用可能導(dǎo)致SMD無源晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物,Transko晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振.
          請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
         過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

CS2012 11

JLX-6

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