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SHINSUNG晶振,TF-26D晶振,TF-26D-20-32.768KHz-12.5pF晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：2*6mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

SHINSUNG晶振,TF-26D晶振,TF-26D-20-32.768KHz-12.5pF晶振，SHINSUNG晶振公司自成立以來(lái)秉持著專業(yè)和敬業(yè)的精神，引領(lǐng)著晶體行業(yè)的發(fā)展，通過(guò)自身的實(shí)力，推出高性能的石英晶體，無(wú)源晶振，有源晶振等產(chǎn)品，以此獲得廣大用戶的稱贊。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)，包括電信，微處理器，汽車，儀器儀表和醫(yī)療應(yīng)用。

SHINSUNG晶振發(fā)展歷程：
1999成立Shinsung SAW Electronics Co.
1999年12月開(kāi)始生產(chǎn)石英晶體和振蕩器（osc，vcxo）

2000年1月完成高頻VCXO （100MHz以上）的開(kāi)發(fā)
Mar.2001開(kāi)始開(kāi)發(fā)SMD OSC和Crystal
Jul.2002開(kāi)始批量生產(chǎn)可編程振蕩器
Aug.2009完成SMD Crystal（3225尺寸）的開(kāi)發(fā)
2009年12月成SMD VCTCXO（5032尺寸）的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD VCXO（7050,5032尺寸）
2010年1月完成SMD振蕩器（3225尺寸）的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD水晶（3225尺寸）
2010年4月在800MHz頻段（7050,14x9.6尺寸）完成LVPECL VCXO的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD振蕩器（3225尺寸）,開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD LVPECL振蕩器（7050尺寸）
AUG.2011開(kāi)始生產(chǎn)SMD VCTCXO（3225尺寸）
Mar.2012成立附屬研究所。SHINSUNG晶振,TF-26D晶振,TF-26D-20-32.768KHz-12.5pF晶振.

SHINSUNG晶振,TF-26D晶振,TF-26D-20-32.768KHz-12.5pF晶振，SHINSUNG晶振在新的加工和測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)備上的投資確保公司將繼續(xù)提供卓越的設(shè)計(jì)，并提供持續(xù)的新產(chǎn)品流，以滿足客戶在當(dāng)前和未來(lái)的需求。我們將繼續(xù)追求質(zhì)量管理，為客戶提供高品質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。

插件圓柱晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等.

type	TF - 26D			REMARK
frequency range	32.768 KHz
frequency stability	± 10ppm ~ ± 50ppm			at +25℃ ±3℃
operating temperature	STD. -10℃ ~ 70℃ / Option : -40℃ ~ 90℃			-80 ppm / -160 ppm
temperature coefficient	-0.034 ppm/℃ 2 TYP. / -0.04 ppm/℃ 2 max			typ.
storage temperature	-40℃ ~ 90℃
drive level	1µw max
load capacitance	8.0 pF typ.	12.5 pF typ.	12.5 pF typ.
shunt capacitance (Co)	1.0 pF max	1.5 pF max	1.8 pF max
equivalent series resistance	40 KΩ max	35 KΩ max	35 KΩ max
aging	±3.0ppm max at +25℃ ±3℃ for first year
insulation resistance	500MΩ min @ 100V
All specifications are subject to change without notice

抗沖擊
無(wú)源貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
靜電，SHINSUNG晶振,TF-26D晶振,TF-26D-20-32.768KHz-12.5pF晶振.
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。