Rubyquartz晶振,RSM200S晶振,RSM200S-32.768-12.5-TR晶振
頻率:32.768KHZ
尺寸:8.0*3.8mm
Rubyquartz晶振,RSM200S晶振,RSM200S-32.768-12.5-TR晶振,Rubyquartz不僅提供其標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的產(chǎn)品,而且隨時準(zhǔn)備開發(fā)特殊產(chǎn)品,以滿足最復(fù)雜的客戶需求。研發(fā)設(shè)計出廣泛的石英晶振產(chǎn)品系列旨在滿足電信,無線,工業(yè),醫(yī)療,計算機,消費者和電子行業(yè)許多其他領(lǐng)域的客戶的需求。
Rubyquartz公司量產(chǎn)的石英晶振,貼片晶振和陶瓷諧振器具有優(yōu)良的兼容性,相同參數(shù),封裝的晶振可通用,或可以運用到不同的產(chǎn)品身上,除了研發(fā)量產(chǎn)常規(guī)型頻率控制元器件產(chǎn)品,也在開發(fā)非常規(guī)的特殊晶體,以滿足不同廠家的生產(chǎn)需求。
SERIES | RSM200S |
NOMINAL FREQUENCY | 32.768 KHz |
FREQUENCY TOLERANCE AT 25°C | ±20 PPM |
TURNOVER TEMPERATURE | +25°C ±5°C |
PARABOLIC CURVATURE CONSTANT | (-0.034 ±0.006) PPM/D C2 |
OPERATING TEMPERATURE | -40°C TO +85°C |
STORAGE TEMPERATURE | -55°C TO +125°C |
AGING (FIRST YEAR) | ±3 PPM MAXIMUM |
EQUIVALENT SERIES RESISTANCE (ESR) | 50K OHMS MAXIMUM |
LOAD CAPACITANCE | 12.5 pF |
SHUNT CAPACITANCE | 1.35 pF TYPICAL |
MOTIONAL CAPACITANCE | 0.003 pF TYPICAL |
CAPACITANCE RATIO | 450 TYPICAL |
DRIVE LEVEL | 1 mW MAXIMUM |
INSULATION RESISTANCE | 500M OHM MINIMUM |
SHOCK RESISTANCE |
±5 PPM MAXIMUM 75cm DROP TEST ONTO A HARD SURFACE OR 3000g x 0.3ms x ½ SINEWAVE IN 3 AXES |
REFLOW CONDITIONS | 240°C FOR 10 SECONDS MAXIMUM (SEE PROFILE) |
抗沖擊
晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。Rubyquartz晶振,RSM200S晶振,RSM200S-32.768-12.5-TR晶振.
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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