Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振
頻率:125MHZ
尺寸:3.2mm x 2.5mm
Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振,Renesas晶振,XA有源晶振,XAL335125.000000I晶振,3225mm晶振,超精密晶體振蕩器,進(jìn)口貼片晶振,頻率125MHz,工作溫度-40~85°C,電壓3.3V,低相噪晶振,低成本晶振,6G應(yīng)用晶振,移動(dòng)應(yīng)用晶振,消費(fèi)電子產(chǎn)品晶振,車載應(yīng)用晶振.
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Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振特點(diǎn):
•符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)
•頻率范圍:0.750MHz至1350MHz
•輸出類型:LVDS, LVPECL, LVCMOS
•頻率穩(wěn)定性:±25,±50,或±100 ppm
•供電電壓:2.5V或3.3V
•相位抖動(dòng)(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型
•包裝選項(xiàng):
•3.2 × 2.5 × 1.0 mm
•5.0 × 3.2 × 1.2毫米
•工作溫度:-40°C至+85°C(3級(jí))
•穩(wěn)定性選項(xiàng):±25,±50,或±100 ppm
•工作溫度:-40°C至+105°C(2級(jí))
•頻率穩(wěn)定性選項(xiàng):±50或±100 ppm
Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振參數(shù)表
3ps Typ
項(xiàng)目
符號(hào)
規(guī)格說(shuō)明
條件
額定頻率
f_nom
125MHz
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓
Vcc
3.3V±0.3V
儲(chǔ)存溫度
T_stg
-55℃~+125℃
裸存
工作溫度
T_use
-40℃~ +85℃
頻率公差(標(biāo)準(zhǔn))
f_tol
±50 ppm
+25℃,超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息
供電電流
IDD
100mA Max
OE=Vcc,L LVDS
差分輸出電壓
VOD
0.6V Max
VDD = 3.3V ±5%.
對(duì)稱性
SYM
45%~55%
At outputs crossing point
輸出負(fù)載
L_LVDS
100Ω
LVDS
輸入電壓
VIH
70%Vcc Min
LVDS
VIL
30%Vcc Max
上升下降時(shí)間
tr/tf
400ps Max
LVDS 20% to 80% Vpp
起始時(shí)間
t str
10ms Max
VDD達(dá)到最小指定水平后輸出有效時(shí)間
周期抖動(dòng)
JPER
LVDS
相位抖動(dòng)
tpj
890fs Typ
12KHZ~20MHz
老化
f_aging
±10ppm/year
+25℃,第一年,Vcc=2.5V,3.3V
Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振尺寸圖
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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JLX-PD
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