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QANTEK晶振,貼片晶振,QC4晶振,石英晶振

頻率：3.2~70MHZ

尺寸：13.2*4.9mm

普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤(pán),可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

QANTEK技術(shù)公司成立于2005年，其愿景是成為具有卓越設(shè)計(jì)和技術(shù)支持的全球時(shí)間和頻率管理組件制造商。為追求這一愿景，QANTEK制造符合ISO / TS質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。我們的通孔和表面安裝提供的全面產(chǎn)品范圍包括：石英晶體諧振器（XTAL）,時(shí)鐘振蕩器（XO）,壓控晶體振蕩器（VCXO）,溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO）,烘箱控制晶體振蕩器（OCXOs）,石英晶體濾波器,陶瓷諧振器.
QANTEK創(chuàng)造了極具競(jìng)爭(zhēng)力的商業(yè)模式，使其能夠?yàn)樵荚O(shè)備制造商，合同制造商和分銷商提供廣泛的高可靠性微處理器晶體和晶體振蕩器。QANTEK為我們的客戶提供高質(zhì)量的晶振產(chǎn)品，具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格，及時(shí)交付，優(yōu)秀的工程和技術(shù)支持，以及在短時(shí)間內(nèi)改變生產(chǎn)要求的靈活性。QANTEK的商業(yè)模式是通過(guò)在初始設(shè)計(jì)，原型設(shè)計(jì)和制造流程中為其提供幫助，與客戶發(fā)展緊密的長(zhǎng)期關(guān)系。耐高溫?zé)o源晶振,石英貼片封裝晶振,QC4晶振

QANTEK晶振,貼片晶振,QC4晶振,石英晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
無(wú)源晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。耐高溫?zé)o源晶振,石英貼片封裝晶振,QC4晶振

QANTEK晶振	單位	QC4晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	3.2~70MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-0°C~+70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1.0mW Max.	推薦:1.0mW
頻率公差	f_— l	±10~30× 10-6	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±50× 10-6/-30°C~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	10~32PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

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我們可以改善的頻率輸出的偏差超過(guò)范圍由以下幾個(gè)方法：調(diào)整外部電容，Cd和CG的值。如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高，要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值），以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率，反之亦然。可以采用不同負(fù)載電容（CL）的晶振試用。試用石英貼片晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。請(qǐng)檢查波形幅度是否是正?；虿皇褂檬静ㄆ?，正確的電容是通過(guò)和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮，由于增加外部電容，請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容，并采用低電容的晶體）的情況。頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。下面的曲線表示晶體的電阻的特征：QANTEK晶振,貼片晶振,QC4晶振,石英晶振

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晶振具有多種振動(dòng)模式，如基頻， 3次泛音，5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí)，金屬面晶振的電阻是最低的，這意味著它是最簡(jiǎn)單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用，一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此，如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí)，要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了，因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式，而不是第三次泛音調(diào)模式。該電路可能不振蕩，如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。4-3?；l模式與三次泛音模式應(yīng)用程序如下：

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一。的基頻模式B應(yīng)用。三次泛音模式的應(yīng)用程序下表顯示升的匹配值，C由各種頻率三次泛音模式進(jìn)口石英晶振頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍這個(gè)問(wèn)題的可能性相對(duì)較小。請(qǐng)確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式，由于放大電路的反饋大當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問(wèn)題可能會(huì)發(fā)生。為了解決這個(gè)問(wèn)題，請(qǐng)采用三次泛音模式晶振。5-2。此外，放大電路，第三色調(diào)模式設(shè)計(jì)不當(dāng)也可能導(dǎo)致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。6-1。請(qǐng)參照資料2.也可以提高終端石英晶振電容解決方案，然后檢查波形幅度是否得到改善。大面積貼片諧振器,進(jìn)口7050石英晶體,ILCX04晶振

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負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致普通SMD封裝晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。QANTEK晶振,貼片晶振,QC4晶振,石英晶振

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測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量貼片石英晶振頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

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諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在無(wú)源石英晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)49SSMD石英晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。大面積貼片諧振器,進(jìn)口7050石英晶體,ILCX04晶振

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