Golledge晶振,彎腳插件晶體,MS3V晶振
頻率:32.768KHz
尺寸:6.7*1.4mm
Golledge是英國發(fā)展最快的頻率產(chǎn)品供應(yīng)商。我們在競爭激烈的市場上繼續(xù)成功是對我們的產(chǎn)品質(zhì)量和出色的服務(wù)的敬意。我們的理念始終以石英晶振和服務(wù)的質(zhì)量和一致性為基礎(chǔ)。我們多年來一直努力保持我們的產(chǎn)品在頻率控制市場的發(fā)展的最前沿。我們高度重視與我們的制造業(yè)伙伴發(fā)展的關(guān)系,每一個精心挑選,以自己對客戶服務(wù)和產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的承諾。
Golledge商業(yè)團隊是該行業(yè)最有經(jīng)驗的團隊之一。我們的知識淵博的工程師和銷售團隊致力于與我們的客戶密切合作,從最初的設(shè)計到全面生產(chǎn)。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子工業(yè),包括電信、衛(wèi)星、微處理器、航空航天、汽車、儀器和醫(yī)療應(yīng)用。我們的專業(yè)和高效的方法使我們成為許多領(lǐng)先的電子設(shè)備OEM和河北的首選供應(yīng)商。
Golledge晶振,彎腳插件晶體,MS3V晶振.小體積DIP時鐘晶體諧振器,是插件型音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時鐘模塊,因產(chǎn)品本身體積小,DIP包裝型,具有抗沖擊性,耐高溫性等特性,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費電子數(shù)碼時間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn).
高利奇貼片晶振離子刻蝕調(diào)頻技術(shù):比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)。
golledge晶振 |
單位 |
MS3V晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面波濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對于可清洗產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對石英水晶諧振器產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響晶振的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。Golledge晶振,彎腳插件晶體,MS3V晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明彎腳插件型無源晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。Golledge晶振,彎腳插件晶體,MS3V晶振
2.振蕩補償
除非在貼片彎腳晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
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