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IDT晶振,差分晶振,XLL晶振

頻率：0.750MHz~1350.000MHz

尺寸：5.0*3.2*1.1mm

Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

IDT-1

IDT為高性能的網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用提供了廣泛的解決方案。IDT領(lǐng)先的串行RapidIO®,PCI Express®,電源管理,和先進(jìn)的時(shí)機(jī)解決方案包括網(wǎng)絡(luò)同步產(chǎn)品超越競(jìng)爭(zhēng),使客戶(hù)開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的系統(tǒng)。IDT積極提高產(chǎn)品和包裝，以產(chǎn)生最快、最可靠的設(shè)備。然而，由于IDT晶振產(chǎn)品性能往往受到其實(shí)現(xiàn)的影響，因此建議仔細(xì)考慮影響設(shè)備運(yùn)行溫度的因素，以達(dá)到最好的效果。
在IDT，我們認(rèn)為作為一個(gè)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，我們?cè)诮鉀Q我們星球上一些最偉大的社會(huì)和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。IDT致力于通過(guò)網(wǎng)站運(yùn)營(yíng)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，持續(xù)改進(jìn)作為一個(gè)全球性的組織。IDT是為4G、5G和云計(jì)算等無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計(jì)的高性能的領(lǐng)先創(chuàng)新者。解決方案包括行業(yè)領(lǐng)先的射頻信號(hào)鏈產(chǎn)品,串行RapidIO®,和先進(jìn)的時(shí)機(jī)。5032差分晶體振蕩器,LVDS輸出晶振,XLL晶振
JLX-1

IDT晶振,差分晶振,XLL晶振.是5.0*3.2*1.1mm的LVDS晶體振蕩器，具有超過(guò)12kHz至20 MHz帶寬的0.89ps典型相位抖動(dòng)。在寬頻率范圍為0.750MHz至1350MHz的情況下，IDT XLL系列晶體振蕩器采用一系列專(zhuān)有ASIC，主要關(guān)注降噪技術(shù)。三階Delta Sigma調(diào)制器將噪聲降低到與傳統(tǒng) 散裝石英和SAW振蕩器。交貨期短，成本低，噪音低，頻率范圍寬，環(huán)境性能優(yōu)異，XLL是傳統(tǒng)技術(shù)的絕佳選擇。 XLL具有±20ppm的穩(wěn)定性，標(biāo)準(zhǔn)和定制頻率的交付極快。
JLX-2

RB-2

IDT晶振	標(biāo)示	XLL晶振	晶振基本信息對(duì)照表
標(biāo)準(zhǔn)范圍	f0	0.750MHz～1350MHz
電源電圧	Vcc	＋2.5V、＋2.8V、＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負(fù)載	L_CMOS	15pF	CMOS 出力
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差	f_tol	±25、±25、±50、±100×10-6 max.	初期偏差、周波數(shù)溫度特性、電源、負(fù)荷変動(dòng)特性、経時(shí)変化(1年、＋25℃時(shí))
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對(duì)稱(chēng)	SYM	40%～60%	50% Vcc
標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

JLX-3

RB-3

XLL 5032 LVDS

JLX-4

RB-4

抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。IDT晶振,差分晶振,XLL晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致差分振蕩器性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用有源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。5032差分晶體振蕩器,LVDS輸出晶振,XLL晶振
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞差分石英晶體振蕩器，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

JLX-5

RB-5

設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明5032貼片晶振單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。5032差分晶體振蕩器,LVDS輸出晶振,XLL晶振

sjzrhl_1

2.振蕩補(bǔ)償
除非在LVDS晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致差分石英晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。IDT晶振,差分晶振,XLL晶振

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