IDT晶振,石英晶體振蕩器,XLH晶振
頻率:0.750MHz~250.000MHz
尺寸:5.0*3.2*1.1mm
IDT在德國的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運(yùn)營(yíng)其卓越的汽車中心。本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949,根據(jù)iso26262的標(biāo)準(zhǔn),支持功能性安全要求。了解更多關(guān)于IDT的汽車質(zhì)量。IDT的傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)器適用于各種汽車應(yīng)用,包括電力轉(zhuǎn)向、排放控制、可變閥門定時(shí)、液位測(cè)量、航向通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)。
本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949,根據(jù)iso26262的標(biāo)準(zhǔn),支持功能性安全要求。IDT晶振的集成電路用于世界各地的通信、計(jì)算和消費(fèi)行業(yè)。IDT總部位于加州圣何塞市,在世界各地都設(shè)有設(shè)計(jì)、運(yùn)營(yíng)和銷售設(shè)施。HCMOS晶振,5032石英晶體振蕩器,XLH晶振
IDT晶振,石英晶體振蕩器,XLH晶振.一種HCMOS晶體振蕩器,具有750fs典型的相位抖動(dòng),頻率范圍超過12kHz至20 MHz。 在寬頻率范圍為0.750MHz至250MHz的情況下,IDT XLH系列晶體振蕩器采用一系列專有ASIC,主要關(guān)注降噪技術(shù)。
IDT石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。
IDT晶振 |
標(biāo)示 |
XLH晶振 |
晶振基本信息對(duì)照表 |
標(biāo)準(zhǔn)范圍 |
f0 |
0.750MHz~250.000MHz |
|
電源電圧 |
Vcc |
+2.5V、+2.8V、+3.3V |
|
輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
頻率負(fù)載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS 出力 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差 |
f_tol |
±20、±25、±50、±100×10-6 max.
|
初期偏差、 |
輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
|
對(duì)稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
其他
<晶體諧振器>
如果過大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上。IDT晶振,石英晶體振蕩器,XLH晶振
<晶體振蕩器>
進(jìn)口晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí),請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。
如果過大的激勵(lì)電力對(duì)石英貼片晶振外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
<光學(xué)產(chǎn)品>
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請(qǐng)?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。HCMOS晶振,5032石英晶體振蕩器,XLH晶振
振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測(cè)量
必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的低抖動(dòng)晶振的振蕩頻率的真實(shí)值,
使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,
我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。
有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最
精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。IDT晶振,石英晶體振蕩器,XLH晶振
探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。
逆變器進(jìn)入下一階段。
探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。
輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。
然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法有源六腳貼片晶振輸出波形較小,測(cè)量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測(cè)量。
此外,振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。
1。測(cè)量緩沖輸出
2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量
三.通過電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出
圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的
除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。HCMOS晶振,5032石英晶體振蕩器,XLH晶振
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