EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).愛普生集團(tuán)通過富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價(jià)值,致力于為客戶提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術(shù)和解決方案.愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)是一家專業(yè)從事晶體元件的廠商,愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson — yocom）運(yùn)用長年積累的培育人工貼片晶振以及以加工為代表的、實(shí)現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:定時(shí)元器件、傳感元器件、光學(xué)元器件,并創(chuàng)出將其復(fù)合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進(jìn)至今.

      伴隨信息化社會(huì)的進(jìn)程,現(xiàn)在壓電石英晶體元器件已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson — yocom）將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時(shí),融合愛普生集團(tuán)的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗(yàn)到利用價(jià)值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會(huì)的發(fā)展以及實(shí)現(xiàn)更舒暢的未來而竭誠奉獻(xiàn). 

      EPSON晶體,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振,晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù)：石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大?。何恢脺?zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過彈簧即可引出電信號(hào)。

      小型貼片振蕩器,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),貼片高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-210SEBA	33.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.6 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SEBA	16.666600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.6 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210SEBA	14.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SEBA	37.125000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG2016CAN	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG2016CAN	25.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG2016CAN	16.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG2016CAN	74.250000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G004611A013	SG-210SEBA	33.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.6 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004611A014	SG-210SEBA	16.666600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.6 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G004611A016	SG-210SEBA	14.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004611A017	SG-210SEBA	37.125000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G0048010002	SG2016CAN	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010012	SG2016CAN	25.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010014	SG2016CAN	16.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010016	SG2016CAN	74.250000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %

       石英貼片晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。EPSON晶體,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振

       每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。

       同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的進(jìn)口石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

       Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振

       驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明SPXO振蕩器振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流.

       振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到小體積貼片晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
      角色的分量與參考值:在貼片金屬面晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

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