愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,（EPSON — YOCOM）1942年成立時是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)有源晶振,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

       日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件（蘇州）有限公司】  愛普生拓優(yōu)科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事壓電石英晶體系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.

      EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振,石英晶振在選用晶片時應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。對于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠，點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。

       貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品石英晶振被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-210SCBA	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210SCBA	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210SCBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210SCBA	11.059200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SDBA	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SDBA	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SDBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SDBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G004591A078	SG-210SCBA	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G004591A081	SG-210SCBA	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G004591A082	SG-210SCBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G004591A602	SG-210SCBA	11.059200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004601A002	SG-210SDBA	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004601A003	SG-210SDBA	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004601A004	SG-210SDBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004601A005	SG-210SDBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %

          如何正確的使用有源晶振電處理：將電源連接到有源晶振指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振，假如損壞那將不會工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值，就很可能會導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振，或者起不到最佳精度。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振

       有源晶振的負(fù)載電容與阻抗:負(fù)載電容與阻抗進(jìn)口石英晶振設(shè)置一個規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個值除了規(guī)定的一個設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時，指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗，根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測量儀器，不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器，測量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測量可以忽略。

       機(jī)械處理:當(dāng)金屬面晶振發(fā)生外置撞擊時，任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時，或者產(chǎn)品不小心跌落時，強(qiáng)烈的外置撞擊都將會導(dǎo)致晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn)。

               振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振

           測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到高精度石英晶振電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

       振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計中，先決條件之一是如何確定進(jìn)口貼片晶振振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。

       角色的分量與參考值:在2520醫(yī)療電子晶振振蕩電路的設(shè)計中，必須認(rèn)識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

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