EPSON晶體,有源晶振,SG7050CAN晶振,X1G0044810001晶振
頻率:1~75MHZ
尺寸:7.0*5.0mm
EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).愛普生集團(tuán)通過富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價(jià)值,致力于為客戶提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術(shù)和解決方案.愛普生拓優(yōu)科夢是一家專業(yè)從事晶體元件的廠商,愛普生拓優(yōu)科夢(Epson — yocom)運(yùn)用長年積累的培育人工石英晶振以及以加工為代表的、實(shí)現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:定時(shí)元器件、傳感元器件、光學(xué)元器件.
并創(chuàng)出將其復(fù)合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進(jìn)至今.伴隨信息化社會(huì)的進(jìn)程,現(xiàn)在壓電石英晶體元器件已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛普生拓優(yōu)科夢(Epson — yocom)將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時(shí),融合愛普生集團(tuán)的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗(yàn)到利用價(jià)值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會(huì)的發(fā)展以及實(shí)現(xiàn)更舒暢的未來而竭誠奉獻(xiàn).
EPSON晶體,有源晶振,SG7050CAN晶振,X1G0044810001晶振,晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
小型貼片振蕩器,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),貼片高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
愛普生晶振規(guī)格 |
SG7050CAN晶振 |
驅(qū)動(dòng)輸出 |
CMOS |
常用頻率 |
1~75MHZ |
工作電壓 |
+1.6~+3.63V (代表値) |
靜態(tài)電流 |
(工作時(shí))+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
TCXO輸出負(fù)載 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃~+85℃ |
±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション) |
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表:
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG5032CCN
18.200000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG5032CCN
6.550000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG5032CCN
6.450000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG5032CCN
7.550000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG7050CAN
12.288000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG7050CAN
24.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG7050CAN
25.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG7050CAN
27.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
|
Model | Frequency | LxWxH |
|
|
|
I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0044710048 | SG5032CCN | 18.200000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.30 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0044710049 | SG5032CCN | 6.550000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.30 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0044710052 | SG5032CCN | 6.450000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.30 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0044710053 | SG5032CCN | 7.550000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.30 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0044810001 | SG7050CAN | 12.288000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 1.8 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0044810002 | SG7050CAN | 24.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.2 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0044810003 | SG7050CAN | 25.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.2 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0044810004 | SG7050CAN | 27.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.2 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % |
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存貼片晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。EPSON晶體,有源晶振,SG7050CAN晶振,X1G0044810001晶振
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)進(jìn)口晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于石英晶體振蕩器器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
測試條件:(1) 電源電壓超過150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量7050標(biāo)準(zhǔn)石英晶體振蕩器頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過石英晶體振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測量。(3) 其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線),EPSON晶體,有源晶振,SG7050CAN晶振,X1G0044810001晶振
驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明四腳有源貼片晶振所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
1、振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到高精度貼片晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值:在7050低電壓貼片晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,有源貼片晶振也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
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電話:0755-27837162
QQ號(hào):657116624
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
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