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EPSON晶體,有源晶振,SG5032CCN晶振,X1G0044710003晶振

頻率：2.5~50MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

小型貼片晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,貼片高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領域,符合RoHS/無鉛.
訂購熱線：0755-27837162
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      日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件（蘇州）有限公司】  愛普生拓優(yōu)科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.

      精工愛普生株式會社（總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡稱為“愛普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產(chǎn)重心轉移到中國蘇州愛普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因為智能手機,以及GPS衛(wèi)星導航的普及,有源晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號,愛普生料號等.

      EPSON晶體,有源晶振,SG5032CCN晶振,X1G0044710003晶振,石英晶振產(chǎn)品電極的設計：石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單，第4項的設計很關鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大，故對電極的設計提出了更精準的要求。

      貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面石英晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

愛普生晶振規(guī)格

SG5032CCN晶振

驅動輸出

CMOS

常用頻率

2.5~50MHZ

工作電壓

+4.5~+5.5V （代表値） 
電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能

靜態(tài)電流

（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） 
+1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下

TCXO輸出電壓

0.8Vp-p min.

TCXO輸出負載

（10kΩ//10pF) ±10％

常規(guī)溫度偏差

±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)

頻率溫度偏差

±30×10-6/-40℃～+85℃

±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG5032CBN 133.333330 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032CBN 90.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032CBN 148.500000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032CBN 80.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032CCN 32.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
SG5032CCN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
SG5032CCN 8.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
SG5032CCN 16.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表：

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G0044610019 SG5032CBN 133.333330 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0044610021 SG5032CBN 90.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0044610022 SG5032CBN 148.500000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0044610023 SG5032CBN 80.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0044710003 SG5032CCN 32.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
X1G0044710004 SG5032CCN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
X1G0044710005 SG5032CCN 8.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
X1G0044710006 SG5032CCN 16.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %

SG5032CAN 7050CAN CBN CCN CMOS

      晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在貼片石英晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。 EPSON晶體,有源晶振,SG5032CCN晶振,X1G0044710003晶振

      晶振產(chǎn)品的設計和生產(chǎn)直到出廠,都會經(jīng)過嚴格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英進口晶振的品質和可靠性,必須在適當?shù)臈l件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。

      機械振動的影響:當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質量有影響。盡管OSC晶振產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。

      晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。EPSON晶體,有源晶振,SG5032CCN晶振,X1G0044710003晶振

     適當?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于CMOS輸出5032晶振的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3pF的范圍內(nèi)-33pF左右，僅供參考。

        此外，振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。5032低抖動有源晶振振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。

        振蕩補償:除非在小體積貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

JLX-6

RB-6

wxewm

公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司

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5032mm體積的石英晶體振蕩器,石英晶振,該產(chǎn)品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊盤,及IR回流焊盤(無鉛對應),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質地輕.產(chǎn)品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
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32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊盤的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
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智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等數(shù)碼產(chǎn)品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.

JLX-PD

金洛鑫產(chǎn)品系列

PRODUCT LINE

石英晶振
QuartzCrystal

貼片晶振
SMDcrystal

諧振器濾波器
Resonator

溫補晶振
TCXOcrystal

32.768K
32768Kcrystal

霧化片
AtomizationPiece

智能穿戴

車載安防

通訊網(wǎng)絡

智能玩具

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