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EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振

頻率：1~75MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機自動焊盤,及IR回流焊盤(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

訂購熱線：0755-27837162

愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,（EPSON — YOCOM）1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電SMD晶體,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數(shù)就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強企業(yè).

日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件（蘇州）有限公司】愛普生拓優(yōu)科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.

EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動，面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強，從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計不正確、使得振動強烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

智能手機愛普生晶體,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等數(shù)碼產(chǎn)品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.

愛普生晶振規(guī)格	SG5032CAN晶振
驅(qū)動輸出	CMOS
常用頻率	1~75MHZ
工作電壓	+1.6~+3.63V （代表値）電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能
靜態(tài)電流	（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下
TCXO輸出電壓	0.8Vp-p min.
TCXO輸出負載	（10kΩ//10pF) ±10％
常規(guī)溫度偏差	±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)
頻率溫度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
頻率溫度偏差	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

SG7050EAN

320.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG7050EAN

125.003700 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG7050EAN

301.386000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG7050EAN

233.372000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG5032CAN

12.288000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 1.8 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

SG5032CAN

16.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 1.8 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

SG5032CAN

24.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 2.2 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

SG5032CAN

25.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 2.2 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表：

Product Number

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

X1G0042910127

SG7050EAN

320.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042910128

SG7050EAN

125.003700 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042910129

SG7050EAN

301.386000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0042910130

SG7050EAN

233.372000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.60 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 65.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0044510001

SG5032CAN

12.288000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 1.8 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

X1G0044510002

SG5032CAN

16.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 1.8 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

X1G0044510003

SG5032CAN

24.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 2.2 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

X1G0044510004

SG5032CAN

25.000000 MHz

5.00 x 3.20 x 1.30 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 2.2 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

SG5032CAN 7050CAN CBN CCN CMOS

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在日產(chǎn)進口晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振

所有產(chǎn)品的共同點1：抗沖擊:抗沖擊是指5032晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。

4：粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致進口貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

測試條件：(1) 電源電壓超過150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過有源晶振的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）,EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振

驅(qū)動能力：驅(qū)動能力說明無人機晶振所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

1、振蕩電路：晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設(shè)計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。導(dǎo)航系統(tǒng)設(shè)備晶振的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。2。角色的分量與參考值：在振蕩電路的設(shè)計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，LVDS晶振也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。