因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術(shù),使工藝技術(shù)達(dá)到人無(wú)完人,史前無(wú)例,實(shí)現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHz為止高頻的表面聲波（SAW）元器件.愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)把半導(dǎo)體（IC）稱之為“產(chǎn)業(yè)之米”,并認(rèn)為石英晶體元器件更是離不開的“產(chǎn)業(yè)之鹽”.將進(jìn)一步致力于小型、高穩(wěn)定、高精度晶體元器件的開發(fā),為現(xiàn)有的應(yīng)用程序以及生活新藍(lán)圖開拓廣闊前景. 　愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)的晶振元器件已以23%的市場(chǎng)占有率位于業(yè)界第一.

      愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域.是對(duì)應(yīng)陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)電話等.等用途.

      EPSON晶體,有源晶振,SG5032EAN晶振,X1G0042710001晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等數(shù)碼產(chǎn)品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.

      石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG5032VAN	122.880000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032VAN	153.600000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032VAN	307.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032VAN	614.400000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032EAN	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032EAN	125.006250 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032EAN	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032EAN	200.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0042610106	SG5032VAN	122.880000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042610107	SG5032VAN	153.600000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042610108	SG5032VAN	307.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042610109	SG5032VAN	614.400000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042710001	SG5032EAN	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042710002	SG5032EAN	125.006250 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042710004	SG5032EAN	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042710005	SG5032EAN	200.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

       金屬面晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

       存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存5032晶體時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。

       耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至貼片進(jìn)口晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

       負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。EPSON晶體,有源晶振,SG5032EAN晶振,X1G0042710001晶振

       測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量日本晶體振蕩器頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

       振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝六腳貼片晶振在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

       接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)5032貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。

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