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熱門關(guān)鍵詞 : 石英晶體諧振器進(jìn)口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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愛(ài)普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振

頻率:125.000MHz

尺寸:3.2*2.5*1.05mm

差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值2.5V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動(dòng)差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點(diǎn), 差分晶振的頻率相對(duì)都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz.
訂購(gòu)熱線:0755-27837162

           愛(ài)普生品牌系列千赫子的石英貼片晶振,目前占據(jù)了中國(guó)市場(chǎng)進(jìn)口晶25%的份額,品牌質(zhì)量,貨期,品種,品質(zhì)是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機(jī)模塊啟用開(kāi)始,在到國(guó)內(nèi)外各大知名品牌手機(jī),最后應(yīng)用到國(guó)內(nèi)山寨手機(jī)市場(chǎng),幾乎占據(jù)80%的手機(jī)行業(yè)晶振類別,產(chǎn)品本身特點(diǎn)是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應(yīng)用自動(dòng)貼片方便.
           愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛(ài)普生株式會(huì)社與愛(ài)普生(中國(guó))有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).目前注冊(cè)資本2500萬(wàn)美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事壓電石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來(lái)西亞量產(chǎn).蘇州愛(ài)普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振為輔.愛(ài)普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振

       愛(ài)普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振.差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對(duì)高標(biāo)準(zhǔn)參考時(shí)鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動(dòng)具備低抖動(dòng)特征.使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場(chǎng)需求,實(shí)現(xiàn)高頻高精度等要求,更加保障了各種系統(tǒng)參考時(shí)鐘的可靠性.
      有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。

愛(ài)普生溫補(bǔ)晶振規(guī)格

SG3225VAN晶振

溫補(bǔ)晶振頻率

73.500MHz~700.000MHz

常用標(biāo)準(zhǔn)頻率

100MHz,125MHz,133MHz,156.25MHz,200MHz,700MHz

工作電壓

+2.5V~+3.3V (代表値) 
電源電圧は+2.5V+3.3V範(fàn)囲の任意の電圧で動(dòng)作可能

靜態(tài)電流

(工作時(shí))+1.2 mA max. (F15MHz) +1.4 mA max. (15F26MHz) 
+1.6 mA max. (F26MHz)(スタンバイ時(shí))+1μA以下

TCXO輸出電壓

0.8Vp-p min.

TCXO輸出負(fù)載

10kΩ//10pF) ±10

常規(guī)溫度偏差

±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)

頻率溫度偏差

±30×10-6/-20℃~+70

±50×10-6/-40℃~+85℃(オプション)

X1G0042410001晶振系列原廠編碼:

Rearranges
Product Number
Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH
Rearranges Rearranges,Rearranges
Output Wave
Ope Temperature Rearranges
Freq. Tol.
Rearranges
I [Max]
Rearranges Rearranges,Rearranges
25°C Aging
Symmetry
X1G0042410001 SG3225VAN 125.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410002 SG3225VAN 125.006250 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410004 SG3225VAN 100.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410005 SG3225VAN 200.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410006 SG3225VAN 400.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410007 SG3225VAN 106.250000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410008 SG3225VAN 212.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410009 SG3225VAN 74.250000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410010 SG3225VAN 148.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410011 SG3225VAN 75.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410012 SG3225VAN 150.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410014 SG3225VAN 156.250000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410015 SG3225VAN 312.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410016 SG3225VAN 312.515625 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %

SG3225VAN LVDS LVPECL

愛(ài)普生SG3225VAN差分晶振系列型號(hào)規(guī)格表:

SG3225VANFM

表面安裝型晶體單元的安裝

(1)嚴(yán)重的溫度變化
       在長(zhǎng)時(shí)間和反復(fù)的嚴(yán)重溫度變化下焊料可能會(huì)破裂;這是由于擴(kuò)張?jiān)斐傻挠∷⒕€路板的溫度系數(shù)不同材料和表面貼裝型晶體陶瓷封裝。如果預(yù)期會(huì)出現(xiàn)這種情況并避免此類問(wèn)題。
(2)自動(dòng)安裝引起的沖擊
       請(qǐng)注意,在超小型石英晶振自動(dòng)安裝過(guò)程中,此類過(guò)程作為吸附,夾緊或安裝到電路板上,可以對(duì)晶體單元施加太大的機(jī)械沖擊,并且電氣特性可能會(huì)改變或惡化。
(3)彎曲PC板引起的應(yīng)力
       如果3225車載振蕩器焊接到PC板后,則電路板是彎曲,機(jī)械應(yīng)力可能導(dǎo)致焊接部分剝離或晶體單元包裝破裂。
(4)接地端子
       如果晶體單元配有接地端子,請(qǐng)確保將其焊接到GND或電源端子。如果不是接地,可能無(wú)法獲得正確的頻率。
焊接和超聲波清洗
       晶體單元的焊接溫度條件是旨在允許同時(shí)處理其他電子元件,但取決于產(chǎn)品類型條件可能受到限制。確認(rèn)使用前的條件?;旧?,超聲波清洗助焊劑允許,但在某些情況下,與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會(huì)導(dǎo)致晶體單元的特性惡化。請(qǐng)檢查所有清潔前的條件。
腐蝕性物質(zhì)的影響
       當(dāng)晶體單元接觸鹽或腐蝕性材料或長(zhǎng)期暴露于某些物質(zhì)這可能是氯化物或硫化物氣體等氣氛造成嚴(yán)重的缺陷,例如包裝失去其密封性由于腐蝕。選擇粘合劑或灌封時(shí)要特別小心用于晶體單元周邊的試劑。

             驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明LVDS晶振所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

       1、振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。愛(ài)普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
      2。角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,差分晶體振蕩器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

        測(cè)試條件:(1) 電源電壓超過(guò)150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)差分晶振的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線)


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