EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410008晶振
頻率:100~156.25MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
并創(chuàng)出將其復(fù)合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進至今.伴隨信息化社會的進程,現(xiàn)在石英晶體振蕩器元器件已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛普生拓優(yōu)科夢(Epson — yocom)將進一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時,融合愛普生集團的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗到利用價值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會的發(fā)展以及實現(xiàn)更舒暢的未來而竭誠奉獻(xiàn).
在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛普生僅此一項水晶振動子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費在手機,PCB,等電子產(chǎn)品.同時愛普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.
EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410008晶振,貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。
小型貼片振蕩器,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,貼片高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機,DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
愛普生晶振規(guī)格 |
SG-210SDH晶振 |
驅(qū)動輸出 |
CMOS |
常用頻率 |
100~156.25MHZ |
工作電壓 |
+2.5V(代表値) |
靜態(tài)電流 |
(工作時)+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
TCXO輸出負(fù)載 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃~+85℃ |
±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション) |
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表:
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
133.333000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
156.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0039410001
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410002
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410003
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410004
SG-210SDH
133.333000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410008
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410010
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410013
SG-210SDH
156.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410014
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
機械振動的影響:當(dāng)進口晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。 EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410008晶振
PCB設(shè)計指導(dǎo):(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存OSC晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
振蕩補償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410008晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量2520mm進口晶體振蕩器頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).
振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝2520進口石英振蕩器在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過小體積貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
微信公眾號:CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
郵箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號
網(wǎng)址:http://www.upap-pt.com/
相關(guān)的產(chǎn)品 / Related Products
- TXC晶振,有源晶振,AW晶振,AW-11.2896MBE-T晶振
- 小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機,無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
- TXC晶振,有源晶振,8W晶振,8W-12.000MBA-T晶振
- 有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊盤(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
- 京瓷晶振,有源晶振,KC2520C-C1晶振,KC2520C38.4000C1YE00晶振
- 有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊盤(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
QuartzCrystal
- KDS晶振
- 愛普生晶振
- NDK晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 大河晶振
- 村田晶振
- 泰藝晶振
- TXC晶振
- 鴻星晶振
- 希華晶振
- 加高晶振
- 百利通亞陶晶振
- 嘉碩晶振
- 津綻晶振
- 瑪居禮晶振
- 富士晶振
- SMI晶振
- Lihom晶振
- SHINSUNG晶振
- NAKA晶振
- AKER晶振
- NKG晶振
- NJR晶振
- Sunny晶振
貼片晶振
SMDcrystal
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal晶振
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal晶振
- IDTcrystal晶振
- PletronicsCrystal晶振
- StatekCrystal晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- Fox晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- KVG晶振
- ILSI晶振
- Mmdcomp晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- Quarztechnik晶振
- Suntsu晶振
- Transko晶振
- Wi2Wi晶振
- ITTI晶振
- Oscilent晶振
- ACT晶振
- Rubyquartz晶振
- MTI-milliren晶振
- PDI晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Anderson晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- ARGO晶振
- 瑞薩renesas晶振
- Skyworks晶振