在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛普生僅此一項(xiàng)水晶振動子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費(fèi)在手機(jī),PCB,等電子產(chǎn)品.同時愛普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.

       因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術(shù),使工藝技術(shù)達(dá)到人無完人,史前無例,實(shí)現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHz為止高頻的表面聲波（SAW）元器件.愛普生拓優(yōu)科夢把半導(dǎo)體（IC）稱之為“產(chǎn)業(yè)之米”,并認(rèn)為貼片晶振元器件更是離不開的“產(chǎn)業(yè)之鹽”.將進(jìn)一步致力于小型、高穩(wěn)定、高精度晶體元器件的開發(fā),為現(xiàn)有的應(yīng)用程序以及生活新藍(lán)圖開拓廣闊前景. 　愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢的晶振元器件已以23%的市場占有率位于業(yè)界第一.

      EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCH晶振,X1G0039310001晶振,石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。

      2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的2520晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品.

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-211SEE	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 90 °C	+/-15 ppm	≤ 2.3 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SEE	19.200000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-20 ppm	≤ 2.3 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SEE	37.125000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-20 ppm	≤ 2.8 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-211SEE	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-15 ppm	≤ 2.3 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
SG-210SCH	100.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 9.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-210SCH	125.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 9.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-210SCH	100.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 9.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-210SCH	125.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 9.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0036410042	SG-211SEE	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 90 °C	+/-15 ppm	≤ 2.3 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036410043	SG-211SEE	19.200000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-20 ppm	≤ 2.3 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036410044	SG-211SEE	37.125000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-20 ppm	≤ 2.8 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0036410045	SG-211SEE	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-15 ppm	≤ 2.3 mA	Included in Frequency tolerance First year		45 to 55 %
X1G0039310001	SG-210SCH	100.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 9.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0039310004	SG-210SCH	125.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 9.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0039310009	SG-210SCH	100.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 9.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0039310011	SG-210SCH	125.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 9.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

      存儲事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進(jìn)口晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。

      機(jī)械振動的影響:當(dāng)日產(chǎn)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 

      PCB設(shè)計指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于晶體振蕩器器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。 

           振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCH晶振,X1G0039310001晶振

       測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量SPXO晶體振蕩器頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

        晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在進(jìn)口石英晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

       適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過四腳有源貼片晶振測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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