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愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振

頻率：38.400MHz

尺寸：2.0*1.6*0.73mm

2016mm體積的溫度補(bǔ)償型石英晶體振蕩器,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

EPSON-1

愛(ài)普生晶振以時(shí)鐘晶體,（32.768KHZ）系列出名,目前愛(ài)普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域.主要從事壓電石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來(lái)西亞量產(chǎn).蘇州愛(ài)普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.
伴隨信息化社會(huì)的進(jìn)程,現(xiàn)在石英晶振已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson — yocom）將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時(shí),融合愛(ài)普生集團(tuán)的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗(yàn)到利用價(jià)值的“解決方案”.通過(guò)上述工作,我們將為社會(huì)的發(fā)展以及實(shí)現(xiàn)更舒暢的未來(lái)而竭誠(chéng)奉獻(xiàn). 愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振

愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振.小體積貼片2016mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢(shì),適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型 (2.0×1.6×0.73mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

愛(ài)普生溫補(bǔ)晶振規(guī)格	TG-5035CJ晶振
溫補(bǔ)晶振頻率	13.000MHz~52.000MHz
常用標(biāo)準(zhǔn)頻率	13MHz,16.368MHz,16.369MHz,19.2MHz,26MHz,38.4MHz
工作電壓	+1.8V +2.5V +2.8V +3.0V +3.3V （代表値）電源電圧は+1.7V～+3.6V範(fàn)囲の任意の電圧で動(dòng)作可能
靜態(tài)電流	（工作時(shí)）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時(shí)）+1μA以下
TCXO輸出電壓	0.8Vp-p min.
TCXO輸出負(fù)載	（10kΩ//10pF) ±10％
常規(guī)溫度偏差	±1.5×10-6 (After 2 reflows)
頻率溫度偏差	±0.5×10-6/-30℃～+85℃
頻率溫度偏差	±0.5×10-6/-40℃～+85℃（オプション）

X1G0038410026晶振系列原廠編碼：

原廠編碼	型號(hào)	頻率	封裝尺寸	輸出波	頻率容許偏差	工作溫度
X1G0038410002	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410004	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410010	TG-5035CJ	33.600000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410011	TG-5035CJ	16.369000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410015	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410017	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410026	TG-5035CJ	38.400000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA	+/-1ppm
X1G0038410027	TG-5035CJ	52.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA	+/-1ppm
X1G0038410029	TG-5035CJ	16.368000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410030	TG-5035CJ	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410033	TG-5035CJ	16.369000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410034	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410040	TG-5035CJ	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410048	TG-5035CJ	16.368000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410052	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.3 mA	+/-1ppm
X1G0038410054	TG-5035CJ	16.367667 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm

TG-5035CG(A)_2520

愛(ài)普生TG-5035CJ溫補(bǔ)晶振系列型號(hào)規(guī)格表：

TG-5035CJFM

抗沖擊
低抖動(dòng)晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解2016封裝晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞TCXO晶振，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

驅(qū)動(dòng)能力：驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明溫補(bǔ)晶振所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振

1、振蕩電路：晶體諧振器是無(wú)源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值：在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，石英晶體諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

測(cè)試條件：(1) 電源電壓超過(guò)150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)石英晶體振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）