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EPSON晶體,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振

頻率：2.375~60MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
訂購熱線：0755-27837162
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      精工愛普生株式會社（總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡稱為“愛普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產(chǎn)重心轉移到中國蘇州愛普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因為智能手機,以及GPS衛(wèi)星導航的普及,有源晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號,愛普生料號等.

       愛普生貼片式石英晶振振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品2520晶振被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

      EPSON晶體,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊盤（無鉛對應）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.

      石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

愛普生晶振規(guī)格

SG-211SCE晶振

驅動輸出

CMOS

常用頻率

2.375~60MHZ

工作電壓

+2.7~3.63V （代表値） 
電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能

靜態(tài)電流

（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） 
+1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下

TCXO輸出電壓

0.8Vp-p min.

TCXO輸出負載

（10kΩ//10pF) ±10％

常規(guī)溫度偏差

±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)

頻率溫度偏差

±30×10-6/-40℃～+85℃

±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG-210SED 66.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-210SED 74.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-210SED 60.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-210SED 72.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-211SCE 12.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-20 ppm ≤ 3.5 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
SG-211SCE 54.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -40 to 85 °C +/-15 ppm ≤ 6.0 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
SG-211SCE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-20 ppm ≤ 3.5 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
SG-211SCE 8.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -40 to 85 °C +/-20 ppm ≤ 3.5 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表：

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G0029410013 SG-210SED 66.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0029410014 SG-210SED 74.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0029410016 SG-210SED 60.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0029410018 SG-210SED 72.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0036210006 SG-211SCE 12.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-20 ppm ≤ 3.5 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
X1G0036210007 SG-211SCE 54.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -40 to 85 °C +/-15 ppm ≤ 6.0 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
X1G0036210009 SG-211SCE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-20 ppm ≤ 3.5 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
X1G0036210010 SG-211SCE 8.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -40 to 85 °C +/-20 ppm ≤ 3.5 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

       晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在金屬面晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。 EPSON晶體,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振

       晶振產(chǎn)品的設計和生產(chǎn)直到出廠,都會經(jīng)過嚴格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的貼片石英晶振.但是為了石英晶振的品質和可靠性,必須在適當?shù)臈l件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。

       機械振動的影響:當OSC晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。

            測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.EPSON晶體,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振

20181212163902

       驅動能力:驅動能力說明小體積有源晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

20181212163938

        此外，振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過四腳金屬面振蕩器電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。

20181212163831

JLX-6

RB-6

wxewm

公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司

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有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊盤（無鉛對應）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.

JLX-PD

金洛鑫產(chǎn)品系列

PRODUCT LINE

石英晶振
QuartzCrystal

貼片晶振
SMDcrystal

諧振器濾波器
Resonator

溫補晶振
TCXOcrystal

32.768K
32768Kcrystal

霧化片
AtomizationPiece

智能穿戴

車載安防

通訊網(wǎng)絡

智能玩具

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