愛普生貼片式石英晶振振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

       EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).愛普生集團(tuán)通過富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價(jià)值,致力于為客戶提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術(shù)和解決方案.愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)是一家專業(yè)從事石英晶體元件的廠商,愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson — yocom）運(yùn)用長年積累的培育人工石英貼片晶振以及以加工為代表的、實(shí)現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:定時(shí)元器件、傳感元器件、光學(xué)元器件.

      EPSON晶體,壓控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊盤（無鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.

       晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。

愛普生日產(chǎn)有源壓控兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	Frequency stability	LxWxH	Output Wave	Frequency Control Range	Temperature	Frequency tolerance	25°C Aging	I[Max]
VG-4231CB	54.000000 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA
VG-4231CB	57.272727 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA
VG-4231CB	56.750000 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA
VG-4231CB	57.000000 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA
VG-4231CB	27.000000 MHz	GGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA
VG-4231CB	16.111888 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA
VG-4231CB	24.545454 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA

Product Number	Model	Frequency	Frequency stability	LxWxH	Output Wave	Frequency Control Range	Temperature	Frequency tolerance	25°C Aging	I[Max]
X1G0028610002	VG-4231CB	54.000000 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA
X1G0028610003	VG-4231CB	57.272727 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA
X1G0028610004	VG-4231CB	56.750000 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA
X1G0028610005	VG-4231CB	57.000000 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA
X1G0028610007	VG-4231CB	27.000000 MHz	GGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA
X1G0028610008	VG-4231CB	16.111888 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA
X1G0028610009	VG-4231CB	24.545454 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 10 mA

          所有石英振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。EPSON晶體,壓控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振

       同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

       5032晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

          晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。EPSON晶體,壓控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振

       適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過六腳石英晶振測(cè)量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

       測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量壓控石英晶體振蕩器頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線）.

       此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過超小型SMD晶振電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。

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