伴隨信息化社會(huì)的進(jìn)程,現(xiàn)在壓電石英晶體元器件已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson — yocom）將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時(shí),融合愛(ài)普生集團(tuán)的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗(yàn)到利用價(jià)值的“解決方案”.通過(guò)上述工作,我們將為社會(huì)的發(fā)展以及實(shí)現(xiàn)更舒暢的未來(lái)而竭誠(chéng)奉獻(xiàn). 

      愛(ài)普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛(ài)普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列石英晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域.是對(duì)應(yīng)陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)電話等.等用途.

      EPSON晶體,有源晶振,SG-770SDD晶振,X1G0023610004晶振,石英晶振的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。

      小型貼片有源晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),貼片高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

愛(ài)普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-770SCD	53.125000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SCD	133.333300 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SCD	75.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SCD	98.304000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SCD	200.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SDD	155.520000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SDD	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SDD	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0023510129	SG-770SCD	53.125000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0023510130	SG-770SCD	133.333300 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0023510131	SG-770SCD	75.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0023510132	SG-770SCD	98.304000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0023510808	SG-770SCD	200.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0023610004	SG-770SDD	155.520000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0023610007	SG-770SDD	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0023610008	SG-770SDD	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

       同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的進(jìn)口晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.EPSON晶體,有源晶振,SG-770SDD晶振,X1G0023610004晶振

       石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

       每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)所有石英振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。

       振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。EPSON晶體,有源晶振,SG-770SDD晶振,X1G0023610004晶振

      角色的分量與參考值:在7050m有源晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

       負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致OSC貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

       驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明貼片石英晶體振蕩器蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流.

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