Vectron晶振,3225晶振,VXM7晶振
頻率:12.000MHz~60.000MHz
尺寸:3.2*2.5*0.8mm
Vectron國(guó)際公司是世界領(lǐng)先的頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的設(shè)計(jì)、制造和營(yíng)銷的領(lǐng)導(dǎo)者,它采用了從直流到微波頻率的大量聲波(BAW)和聲表面濾波器(SAW)的最新技術(shù)。公司提供的創(chuàng)新和能力反映了更高頻率、低成本設(shè)計(jì)和小型化的趨勢(shì),以及更先進(jìn)的技術(shù)集成解決方案。其中一些關(guān)鍵技術(shù)包括:ASIC設(shè)計(jì)、表面安裝技術(shù)、陶瓷封裝、混合制造到類“S”、“高頻基礎(chǔ)”(HFF)晶體設(shè)計(jì)和空間組件能力。
產(chǎn)品包括晶體和石英晶體振蕩器;頻率翻譯;時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)產(chǎn)品;看到過濾器;用于電信、數(shù)據(jù)通信、頻率合成器、定時(shí)、導(dǎo)航、軍事、航空和儀表系統(tǒng)的水晶過濾器和組件。Vectron是頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的首選技術(shù)伙伴。我們幫助客戶“創(chuàng)新、改進(jìn)和發(fā)展”他們的業(yè)務(wù)。3225mm無源諧振器,小體積壓電石英晶體,VXM7晶振
Vectron晶振,3225晶振,VXM7晶振.超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
厚度單位: 全自動(dòng)石英晶振晶片清洗技術(shù):采用高壓噴淋清洗,兆聲振動(dòng)的原理,一個(gè)全自動(dòng)、清洗過程由PLC控制,由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風(fēng)力吹水段等, 操作自動(dòng)化程度高,除上下工件需要人工外,其余全部由設(shè)備自動(dòng)完成。
VECTRON晶振 |
單位 |
VXM7晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12.000MHZ~60.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +90°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
10-100μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10 × 10-6/-40°C ~ +85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
6pF~32PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。3225mm無源諧振器,小體積壓電石英晶體,VXM7晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致維管貼片晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。Vectron晶振,3225晶振,VXM7晶振
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致石英晶體諧振器振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示3225石英諧振器單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補(bǔ)償
除非在四腳3225mm小體積晶體振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。3225mm無源諧振器,小體積壓電石英晶體,VXM7晶振
3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致原裝貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。Vectron晶振,3225晶振,VXM7晶振
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機(jī):13510569637
電話:0755-27837162
QQ號(hào):657116624
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