Vectron晶振,49SMD晶振,VXB1晶振
頻率:3.500MHz~75.000MHz
尺寸:11.4*4.8mm
Vectron將繼續(xù)成為全球市場的世界級供應商,并將在符合市場需求的情況下應用創(chuàng)新的、前瞻性的道德原則。我們完全致力于認識客戶的需求,所有的石英晶振以卓越的品質(zhì)、服務(wù)、響應能力和規(guī)范要求來回應這些需求。我們所有的員工都致力于這些原則,以顧客滿意和持續(xù)改進為他們的永恒目標。
Vectron國際公司既是一個貼片晶振產(chǎn)品制造商,也是一個解決方案提供商,以其獨特的技術(shù)領(lǐng)先,但總是準備設(shè)計和設(shè)計定制解決方案,在那里需要。美國威克創(chuàng)抯核心競爭力結(jié)合了經(jīng)典的水晶,看到技術(shù)和復雜的集成電路和先進的包裝。除了這些偉大的創(chuàng)新能力之外,Vectron還致力于非常靈活和專注于服務(wù),快速和專業(yè)地幫助客戶創(chuàng)新、改進和發(fā)展他們的業(yè)務(wù)。49S型壓電石英晶體,進口橢圓形貼片晶振,VXB1晶振
Vectron晶振,49SMD晶振,VXB1晶振.具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
維管石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體諧振器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
VECTRON晶振 |
單位 |
VXB1晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
5.500MHZ~75.000MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +90°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10-100μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10 × 10-6/-40°C ~ +85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
6pF~32PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。Vectron晶振,49SMD晶振,VXB1晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致假貼片晶振性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。49S型壓電石英晶體,進口橢圓形貼片晶振,VXB1晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞進口晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明11.4*4.8貼片諧振器所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。Vectron晶振,49SMD晶振,VXB1晶振
2.振蕩補償
除非在49S型SMD晶體振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致49SMD貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。49S型壓電石英晶體,進口橢圓形貼片晶振,VXB1晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
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