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ConnorWinfield晶振,小體積溫補(bǔ)振蕩器,TX193晶振

頻率：6.400MHz~40.000MHz

尺寸：5.0*3.2*2.1mm

溫補(bǔ)晶振(TCXO)溫補(bǔ)石英晶體振蕩器基本解決方案,輸出頻率6.4MHz到40MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

ConnorWinfield-1

Connor-Winfield頻率控制產(chǎn)品被用于各種各樣的應(yīng)用程序包括電信、局域網(wǎng)和廣域網(wǎng)的產(chǎn)品,電腦,和其他微處理器和電子設(shè)備。我們專門設(shè)計(jì)定制和semi-custom頻率控制產(chǎn)品,還提供了一個(gè)廣泛的標(biāo)準(zhǔn)基于石英晶體振蕩器產(chǎn)品和非晶體的振蕩器。我們高度自動化的電子組裝設(shè)施創(chuàng)造了一個(gè)獨(dú)特高效的高科技制造環(huán)境，旨在將我們的核心技術(shù)和能力與OEM的厚膜產(chǎn)品簽訂合同。我們專注于快速轉(zhuǎn)向原型和試點(diǎn)運(yùn)行，以及對復(fù)雜項(xiàng)目運(yùn)行的有效響應(yīng)能力。
CONNOR-WINFIELD晶振集團(tuán)建立一種可測量的發(fā)展和改進(jìn)的目標(biāo)指標(biāo)，定期進(jìn)行內(nèi)審和管理評審。在現(xiàn)有的或新生的各種活動中不斷監(jiān)測和改進(jìn)環(huán)境績效。通過對石英晶振生產(chǎn)活動的持續(xù)改進(jìn)和促進(jìn)對低效或無效的環(huán)境法律法規(guī)進(jìn)行合理化轉(zhuǎn)變，努力提高環(huán)境管理中資本的效力。將生產(chǎn)活動中的環(huán)境因素和環(huán)境影響的分析納入我們的決策中來，確?；顒又忻恳环肿拥倪\(yùn)作和發(fā)展都體現(xiàn)對污染預(yù)防方針的貫徹。

JLX-1

ConnorWinfield-2

ConnorWinfield晶振,小體積溫補(bǔ)振蕩器,TX193晶振.溫度補(bǔ)償型SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：2.5V~3.3V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
康納溫菲爾德晶振的真空封裝技術(shù)：是指貼片晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。小體積溫度補(bǔ)償型晶振,TX193晶振,高精度貼片有源晶體

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Connor-Winfield晶振	標(biāo)示	TX193晶振	晶振基本信息對照表
標(biāo)準(zhǔn)范圍	f0	6.400MHz~40.000MHz
電源電圧	Vcc	＋2.5V~+3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負(fù)載	L_CMOS	10pF	LVCMOS 出力
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差	f_tol	±0.5~2.0×10-6 max.	初期偏差、周波數(shù)溫度特性、電源、負(fù)荷変動特性、経時(shí)変化(1年、＋25℃時(shí))
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、LVCMOS=15pF

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RB-3

tx193 5032 TCXO

JLX-4

RB-4

抗沖擊
5032有源貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體振蕩器性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。ConnorWinfield晶振,小體積溫補(bǔ)振蕩器,TX193晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口有源晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用5032溫補(bǔ)有源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞石英振蕩子，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。小體積溫度補(bǔ)償型晶振,TX193晶振,高精度貼片有源晶體

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輸出波形與測試電路
1.時(shí)序表

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2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。ConnorWinfield晶振,小體積溫補(bǔ)振蕩器,TX193晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）小體積溫度補(bǔ)償型晶振,TX193晶振,高精度貼片有源晶體