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CTS晶振,石英晶振,TFNC38晶振,圓柱DIP晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：8.3*3.1mm

引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點(diǎn),高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.49/S石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

在1980年初的CTS獲得了成功的連接器和背板制造商在北美洲和蘇格蘭的業(yè)務(wù)。此外，蘇格蘭的連接為CTS的位置傳感器產(chǎn)品打開了許多新的歐洲市場機(jī)會。在之后的十年，為了滿足不斷增長的全球晶振市場需求，CTS完成擴(kuò)建工廠在墨西哥，新加坡，蘇格蘭，美國，加拿大，香港和臺灣，進(jìn)一步增加了CTS的全球影響力。2012也是CTS收購了研發(fā)技術(shù)的一年，該公司是一家私人定制的傳感器、開關(guān)和機(jī)電組件制造商，服務(wù)于汽車輕車市場。此次收購顯著擴(kuò)大CTS的戰(zhàn)略汽車傳感器產(chǎn)品平臺與新客戶和更廣泛的產(chǎn)品組合。32.768K標(biāo)準(zhǔn)頻率晶振,8331環(huán)保型諧振器,TFNC38晶振
2007、CTS完成α陶瓷收購，提供傳感器在軍事和航空航天市場的傳感器制造商的壓電陶瓷晶振材料。因此，CTS增強(qiáng)其全球領(lǐng)先的位置在壓電陶瓷具有獨(dú)特的能力范圍2008 tusonix，公司收購，在Nogales、墨西哥的制造業(yè)務(wù)，增加了電磁和射頻干擾（EMI/RFI）濾波器元件的CTS系列產(chǎn)品。CTS是航空航天、通信、國防、工業(yè)、信息技術(shù)、醫(yī)療和運(yùn)輸市場的OEM、傳感器和電子元器件的主要設(shè)計(jì)者和制造商。CTS生產(chǎn)的產(chǎn)品在北美洲、歐洲和亞洲。2013一月，奧沙利文加入了CTS的總裁和首席執(zhí)行官。

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CTS晶振,石英晶振,TFNC38晶振,圓柱DIP晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/U形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除進(jìn)口貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。32.768K標(biāo)準(zhǔn)頻率晶振,8331環(huán)保型諧振器,TFNC38晶振

CTS晶振	單位	TFNC38晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:1.0μW
頻率公差	f_— l	±10,20× 10-6	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±15~ ±100× 10-6/-30°C~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	6,,8,12.5PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

32.768K標(biāo)準(zhǔn)頻率晶振,8331環(huán)保型諧振器,TFNC38晶振

石英晶體諧振器自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。CTS晶振,石英晶振,TFNC38晶振,圓柱DIP晶振
陶瓷包裝石英晶振:在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。（2）陶瓷封裝貼片晶振:在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
（3）柱面式產(chǎn)品:產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在引腳32.768K晶振根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時,請勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。32.768K標(biāo)準(zhǔn)頻率晶振,8331環(huán)保型諧振器,TFNC38晶振

測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量3x8圓柱晶體頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.CTS晶振,石英晶振,TFNC38晶振,圓柱DIP晶振

32.768K標(biāo)準(zhǔn)頻率晶振,8331環(huán)保型諧振器,TFNC38晶振

1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到插件32.768K晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在32.768K時鐘晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

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