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CTS晶振,貼片晶振,TFE16晶振,美國諧振器

頻率:32.768KHZ

尺寸:1.6*1.0mm

小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費電子數(shù)碼時間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn).
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進口無源SMD晶體,2012千赫茲諧振器,TFE20晶振

       2007、CTS完成α陶瓷收購,提供傳感器在軍事和航空航天市場的傳感器制造商的壓電陶瓷材料。因此,CTS增強其全球領(lǐng)先的位置在壓電陶瓷諧振器具有獨特的能力范圍2008 tusonix,公司收購,在Nogales、墨西哥的制造業(yè)務(wù),增加了電磁和射頻干擾(EMI/RFI)濾波器元件的CTS系列產(chǎn)品。2012、CTS完成•華裴Fisher公司的收購,在精度和頻率的晶體振蕩器的設(shè)計制造的領(lǐng)導(dǎo)者。此次收購擴大了CTS的技術(shù)和工程能力。2012也是CTS收購了研發(fā)技術(shù)的一年,該公司是一家私人定制的傳感器、開關(guān)和機電組件制造商,服務(wù)于汽車輕車市場。此次收購顯著擴大CTS的戰(zhàn)略汽車傳感器產(chǎn)品平臺與新客戶和更廣泛的產(chǎn)品組合。
      作為CTS過渡到上世紀(jì)70年代,環(huán)境污染問題導(dǎo)致美國政府授權(quán)的汽車排放控制要求。節(jié)氣門位置傳感和排氣再循環(huán)控制的需要將CTS浸入到引擎蓋和底盤位置傳感器業(yè)務(wù)中,為公司打開新的市場機會。最近,CTS的汽車晶振產(chǎn)品擴展到商用車、越野和重型設(shè)備市場,實現(xiàn)了戰(zhàn)略增長的里程碑。CTS開發(fā)并推出了強大的智能執(zhí)行器?為燃料配送管理等應(yīng)用中,可變?nèi)~片渦輪增壓器的控制,為各種大型柴油機管理功能,適合。另外,CTS汽車用品位置傳感器的小型發(fā)動機市場(摩托車、沙灘車、舷外發(fā)動機等)。

2012音叉二腳晶振,32.768千赫茲諧振器,TFA20晶振

      CTS晶振,貼片晶振,TFE16晶振,美國諧振器,貼片石英晶體諧振器,又簡稱為排帶包裝,這是這產(chǎn)品采用排帶盤式包裝,使產(chǎn)品在焊接時能采用SMT自動貼片機高速的焊接,大大節(jié)約人工,提高工作效率。32.768KHz千赫子時鐘晶體,其本身主要應(yīng)用在時鐘控制產(chǎn)品,或者是控制模塊,主要給時鐘芯片提供一個基準(zhǔn)信號,其主要各項功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
      石英晶振的切割設(shè)計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。

2012音叉二腳晶振,32.768千赫茲諧振器,TFA20晶振

CTS晶振

單位

TFE16晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

0.1~0.5μW Max.

推薦:0.1~0.5μW

頻率公差

f_— l

±10,20× 10-6 

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±15~ ±100× 10-6/-30°C~+85°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

5,7,9,12.5PF

不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

2012音叉二腳晶振,32.768千赫茲諧振器,TFA20晶振

TFE16 1610

2012音叉二腳晶振,32.768千赫茲諧振器,TFA20晶振

          一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規(guī)格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。石英晶體諧振器的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。CTS晶振,貼片晶振,TFE16晶振,美國諧振器

   一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是無源石英晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:

20180607084414

      線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)(2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值。(3)振蕩期間測量R的值。(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。如果小型貼片晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL)。采用具有較低電阻(RR)的晶振。使用光盤和CG的不等價的設(shè)計。我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

2012音叉二腳晶振,32.768千赫茲諧振器,TFA20晶振

       振蕩補償:除非在32.768K壓電石英晶體振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。CTS晶振,貼片晶振,TFE16晶振,美國諧振器

sjzrhl_2

       測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過進口SMD晶振振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).

scbx_2

       晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在32.768K音叉晶體基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
      適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過1610千赫晶振測量振蕩電路的特性來確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

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