CTS晶振,貼片晶振,TF20晶振,KHZ晶振
頻率:32.768KHZ
尺寸:2.0*1.2mm
2007、CTS晶振完成陶瓷收購,提供傳感器在軍事和航空航天市場的傳感器制造商的壓電陶瓷材料。因此,CTS增強其全球領(lǐng)先的位置在壓電陶瓷具有獨特的能力范圍2008 tusonix,公司收購,在Nogales、墨西哥的制造業(yè)務(wù),增加了電磁和射頻干擾(EMI/RFI)濾波器元件的CTS系列產(chǎn)品。作為戰(zhàn)略的一部分,CTS銷售EMS業(yè)務(wù)。該交易加劇了CTS對其零部件和傳感器業(yè)務(wù)的關(guān)注,并提供額外資金以推動核心能力的增長。音叉型晶體諧振器,2012無源音叉晶振,TF20晶振
2012也是CTS收購了研發(fā)技術(shù)的一年,該公司是一家私人定制的傳感器、開關(guān)和機電組件制造商,服務(wù)于汽車輕車市場。此次收購顯著擴大CTS的戰(zhàn)略汽車傳感器產(chǎn)品平臺與新客戶和更廣泛的產(chǎn)品組合。2012、CTS完成•華裴Fisher公司的收購,在精度和頻率的石英晶體諧振器的設(shè)計制造的領(lǐng)導者。此次收購擴大了CTS的技術(shù)和工程能力。
CTS晶振,貼片晶振,TF20晶振,KHZ晶振,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計:石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單,第4項的設(shè)計很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對電極的設(shè)計提出了更精準的要求。音叉型晶體諧振器,2012無源音叉晶振,TF20晶振
CTS晶振 |
單位 |
TF16晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+125°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.1~0.5μW Max. |
推薦:0.1~0.5μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10,20× 10-6 |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±15~ ±100× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
5,7,9,12.5PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性:將進口晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。CTS晶振,貼片晶振,TF20晶振,KHZ晶振
所有陶瓷石英晶振和實時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負載:建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。音叉型晶體諧振器,2012無源音叉晶振,TF20晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英SMD晶振產(chǎn)品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在2012石英晶體諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負載能力。CTS晶振,貼片晶振,TF20晶振,KHZ晶振
適當?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于進口32.768K石英晶體諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致2012小體積貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過時鐘晶體諧振器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).
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JLX-PD
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