村田晶振,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振
頻率:13MHZ
尺寸:3.2*2.5*0.55mm
村田晶振發(fā)展史:73年10月,在中國香港成立銷售公司—村田有限公司,1978年11月 收購臺灣的生產(chǎn)銷售公司—美國企業(yè)的當(dāng)?shù)胤ㄈ恕窶allory 現(xiàn)在的(臺灣村田股份有限公司),1994年7月 在中國北京成立制造公司—北京村田電子有限公司,主要生產(chǎn)銷售,貼片陶瓷晶振,陶瓷晶體,陶瓷諧振器等,1994年12月1994年12月在中國江蘇省無錫市成立生產(chǎn)?銷售公司—無錫村田電子有限公司,1995年5月在中國上海成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(上海)有限公司,在中國江蘇省無錫市成立生產(chǎn)?銷售公司—無錫村田電子有限公司,1999年7月 村田陶瓷晶振公司在中國深圳成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(深圳)有限公司,1999年8月在中國天津成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(天津)有限公司,主要生產(chǎn)銷售陶瓷晶振,村田陶瓷諧振器,村田晶振等.金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振
村田晶振制作所基于高尚的企業(yè)道德,遵循其經(jīng)營理念,以繼續(xù)成為受社會(huì)信賴的公司為目標(biāo),承諾遵守法律和法規(guī),實(shí)施高度透明的管理、尊重人權(quán)、維護(hù)健康與安全、為社會(huì)發(fā)展和環(huán)境保護(hù)做出貢獻(xiàn).村田進(jìn)口晶振從設(shè)計(jì)階段開始減少環(huán)保負(fù)荷的體制建設(shè),村田晶振由環(huán)保主管董事?lián)握麄€(gè)集團(tuán)的環(huán)保活動(dòng)的總負(fù)責(zé)人,由環(huán)保部跨事業(yè)所支持和促進(jìn)環(huán)?;顒?dòng).此外,社長的咨詢機(jī)構(gòu)—環(huán)保委員會(huì),還針對各村田晶振,陶瓷諧振器,村田陶瓷晶振,陶瓷振蕩子,村田石英晶振據(jù)點(diǎn)的活動(dòng)情況和全公司的環(huán)保課題進(jìn)行議論和探討.此外,為大力推進(jìn)二氧化碳減排活動(dòng),設(shè)立了“防止全球變暖委員會(huì)”,加快設(shè)計(jì)、開發(fā)和生產(chǎn)過程中CO2減排活動(dòng)的步伐.
村田晶振,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振,3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題,為壓電石英晶體行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定。金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振
TXC晶振 |
單位 |
TAS-3225F晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
13MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
包裝規(guī)格 |
mm |
180 |
最小訂購單位:3000 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
驅(qū)動(dòng)電平 |
DL |
60μW |
推薦:1~300μW |
頻率公差 |
f_— l |
±13×10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
(±15)×10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
80Ω |
-20°C~ +70°C, DL = 50μW |
頻率老化 |
f_age |
±5×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1:抗沖擊:抗沖擊是指石英無源晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。4:粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。) 村田晶振,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振
存儲事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些SMD諧振器產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
陶瓷晶振與SON產(chǎn)品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。陶瓷包裝石英晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振
負(fù)載電容:如果3225石英晶體諧振器振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。村田晶振,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振
測試條件:(1) 電源電壓?3225晶體諧振器 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線)
1、振蕩電路:3225晶體諧振器是耐高溫晶振,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2。3.2x2.5石英貼片晶振角色的分量與參考值在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
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JLX-PD
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