村田晶振,TAS-2520F晶振,XRCHH16M000F1QB7P0晶振
頻率:16MHZ
尺寸:2.5*2.0*0.45mm
自1944年創(chuàng)業(yè)以來(lái),村田得到了巨大的發(fā)展,在2013年度制定的中期構(gòu)想最終年度的2015年度,營(yíng)業(yè)額達(dá)到了在村田的歷史上具有里程碑意義的萬(wàn)億日元。在此衷心感謝廣大客戶(hù)和各利益相關(guān)方長(zhǎng)期以來(lái)的大力支持。SMD晶振產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到數(shù)碼電子產(chǎn)品,家用電器,比如電話(huà)機(jī),游戲機(jī)等電子產(chǎn)品.村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電,汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。精準(zhǔn)2520時(shí)鐘無(wú)源晶體,TAS-2520F晶振,XRCHH16M000F1QB7P0晶振
此外,我們也將把汽車(chē)、能源、醫(yī)療保健作為重點(diǎn)市場(chǎng),并提供只有村田才能實(shí)現(xiàn)的價(jià)值。在新感應(yīng)技術(shù)及通信技術(shù)需求不斷提高的IoT社會(huì),村田將作為一個(gè)重要的參與者來(lái)體現(xiàn)其存在的價(jià)值,并不斷強(qiáng)化制造、技術(shù)開(kāi)發(fā)及人才開(kāi)發(fā)等事業(yè)基礎(chǔ)。村田的發(fā)展永無(wú)止境,而在新的發(fā)展過(guò)程中“經(jīng)營(yíng)理念”也將始終是各項(xiàng)工作的基礎(chǔ)。我們要讓 貼片石英晶體分布在世界各地的全體村田員工充分理解村田的“經(jīng)營(yíng)理念”,使村田永遠(yuǎn)成為為客戶(hù)和社會(huì)而存在的企業(yè)。
村田晶振,TAS-2520F晶振,XRCHH16M000F1QB7P0晶振,2520mm體積的晶振,可以說(shuō)是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無(wú)線通訊系統(tǒng),無(wú)線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品.
石英晶振的研磨技術(shù):通過(guò)對(duì)晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨,使石英晶振的晶片達(dá)到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為:在壓電晶體行業(yè),生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個(gè)方面,通過(guò)理論與實(shí)際相結(jié)合,累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn),通過(guò)深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù),注重貼片晶振研磨過(guò)程的各種細(xì)節(jié),注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇;注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設(shè)計(jì)及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來(lái)越薄,貼片晶振晶片的頻率越來(lái)越高,為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),提升了晶振廠家的競(jìng)爭(zhēng)力,使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)其它公司。
TXC晶振 |
單位 |
TAS-2520F晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
16MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
包裝規(guī)格 |
mm |
180 |
最小訂購(gòu)單位:3000 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
驅(qū)動(dòng)電平 |
DL |
60μW Max. |
推薦:1~300μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10×10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
(±15)×10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
80Ω |
-20°C~ +70°C, DL = 50μW |
頻率老化 |
f_age |
±1×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
我們可以改善的頻率輸出的偏差超過(guò)范圍由以下幾個(gè)方法:調(diào)整外部電容,Cd和CG的值。如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL(或Cd以及C 8的值),以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然。可以采用不同負(fù)載電容(CL)的晶振試用。 試用貼片無(wú)源晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話(huà)。請(qǐng)檢查波形幅度是否是正?;虿皇褂檬静ㄆ?,正確的電容是通過(guò)和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的晶體)的情況。頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。下面的曲線表示晶體的電阻的特征:村田晶振,TAS-2520F晶振,XRCHH16M000F1QB7P0晶振
晶振具有多種振動(dòng)模式,如基頻, 3次泛音,5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí),進(jìn)口石英晶振的電阻是最低的,這意味著它是最簡(jiǎn)單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用,一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此,如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí),要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了,因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式,而不是第三次泛音調(diào)模式。該電路可能不振蕩,如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。4-3?;l模式與三次泛音模式應(yīng)用程序如下:精準(zhǔn)2520時(shí)鐘無(wú)源晶體,TAS-2520F晶振,XRCHH16M000F1QB7P0晶振
振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。進(jìn)口我無(wú)源SMD晶振的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。村田晶振,TAS-2520F晶振,XRCHH16M000F1QB7P0晶振
此外,振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。2520貼片晶振振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。精準(zhǔn)2520時(shí)鐘無(wú)源晶體,TAS-2520F晶振,XRCHH16M000F1QB7P0晶振
超小型2520mm貼片晶振測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線)
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。2520石英晶振電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機(jī):13510569637
電話(huà):0755-27837162
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搜狐公眾號(hào):晶振石英晶振NDK晶振
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JLX-PD
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